Комп'ютерне моделювання електротранспортних характеристик наноконтакту “Золото – Біпіридин – Золото”

Автори D. Sergeyev1,2
Приналежність

1Zhubanov Aktobe Regional University, 34, Moldagulova Ave., 030000 Aktobe, Kazakhstan

2Begeldinov Military Institute of Air Defense Forces, 39, Moldagulova Ave., 030012 Aktobe, Kazakhstan

Е-mail serdau@rambler.ru
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 4
Дати Одержано 31 травня 2019; у відредагованій формі 03 серпня 2019; опубліковано online 22 серпня 2019
Посилання D. Sergeyev, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 4, 04023 (2019)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04023
PACS Number(s) 73.63. – b, 73.40. – c, 72.90. + y
Ключові слова Електронний транспорт (5) , Наноконтакт, Біпіридин, Негативний диференціальний опір, Вольт-амперна характеристика (11) .
Анотація

У рамках теорії функціоналу щільності, використовуючи метод нерівноважних функцій Гріна (DFT + NEGF), і в наближенні локальної щільності, були вивчені електротранспортні характеристики наноконтакту “Золото – Біпіридин – Золото”. Розрахунок реалізований у програмі Atomistix ToolKit з використанням забезпечення Virtual NanoLab. Розраховуються вольт-амперні характеристики, характеристики dI/dV, спектр пропускання і щільність станів наноконтакту. Показано, що спектри пропускання наноконтакту нагадують спектр резонансних тунельних структур. При застосуванні напруги зміщення виявлено зсув спектрів пропускання, що пояснюється падінням напруги на молекулярному переході. Показано, що DDOS при від’ємній енергії (– 6 ÷ – 1 еВ) значно вище, ніж при додатній енергії. У діапазоні напруг зсуву – 3 ÷ – 0.5 В спостерігається помітне коливання струму. Показано, що на вольт-амперній характеристиці наносистеми з'являється безліч областей з від’ємним диференціальним опором, можливо, внаслідок резонансного тунелювання квазічастинок. Такі ж зміни спостерігаються і на характеристиці dI/dV. Отримані результати можуть бути корисними для розрахунку нових перспективних електронних пристроїв молекулярної електроніки.

Перелік посилань