Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3

Автори Varra Niteesh Reddy, D.V. Vivekananda, G. Sai Krishna, B. Sri Vivek, P. Vimala
Приналежність

Department of Electronics & Communication Engineering, Dayananda Sagar College of Engineering, Shavige Malleshwara Hills, Kumaraswamy Layout, Banashankari, Bengaluru-560078 Karnataka, India

Е-mail drvimala-ece@dayanandasagar.edu
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 4
Дати Одержано 07 травня 2019; у відредагованій формі 01 серпня 2019; опубліковано online 22 серпня 2019
Посилання Varra Niteesh Reddy, D.V. Vivekananda, G. Sai Krishna, et al.m Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 4, 04005 (2019)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04005
PACS Number(s) 73.40.Qv, 85.30.Hi
Ключові слова GaN n-типу, Титанат стронцію, Електричні властивості (14) , MIS перехід, Висота бар'єру (2) , Коефіцієнт ідеальності (5) , Механізм провідності струму.
Анотація

Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN (SJ) вдосконалювалися з використанням ізолюючого шару високоміцного титанату стронцію (SrTiO3) в середині шарів Au і n-GaN. Розглянуто електричні властивості Au/n-GaN SJ та Au/SrTiO3/n-GaN метал/ізолятор/напівпровідник (MIS) переходу методами струм-напруга і ємність-напруга. MIS перехід показав вишуканий випрямляючий характер порівняно з SJ. Встановлено, що послідовний опір та опір шунту становлять 30 Ω, 4.69  106 Ω та 250 Ω, 2.12  109 Ω, відповідно, для SJ та MIS переходу. Розрахункова висота бар'єру і коефіцієнти ідеальності SJ і MIS переходу становили 0.67 еВ, 1.44 і 0.83 еВ, 1.78, відповідно. Більше значення висоти бар’єру було досягнуто для MIS переходу у порівнянні з SJ, що свідчить про те, що висота бар’єру ефективно змінювалася за допомогою шару SrTiO3. Крім того, коефіцієнт ідеальності, висота бар’єру і послідовний опір SJ і MIS переходу оцінювалися за допомогою функції Ченга і порівнювалися між собою. Спостереження показують омічну поведінку в областях з низькою напругою і провідність, обмежену об'ємним зарядом, в областях з вищою напругою у прямому зсуві I-V характеристики для SJ і MIS переходу. Крім того, досліджено механізм провідності зворотного струму витоку SJ і MIS переходу.

Перелік посилань