Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN з ізоляційним шаром High-k SrTiO3
| Автори | Varra Niteesh Reddy, D.V. Vivekananda, G. Sai Krishna, B. Sri Vivek, P. Vimala |
| Приналежність |
Department of Electronics & Communication Engineering, Dayananda Sagar College of Engineering, Shavige Malleshwara Hills, Kumaraswamy Layout, Banashankari, Bengaluru-560078 Karnataka, India |
| Е-mail | drvimala-ece@dayanandasagar.edu |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Дати | Одержано 07 травня 2019; у відредагованій формі 01 серпня 2019; опубліковано online 22 серпня 2019 |
| Посилання | Varra Niteesh Reddy, D.V. Vivekananda, G. Sai Krishna, et al.m Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 4, 04005 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(4).04005 |
| PACS Number(s) | 73.40.Qv, 85.30.Hi |
| Ключові слова | GaN n-типу, Титанат стронцію, Електричні властивості (20) , MIS перехід, Висота бар'єру (4) , Коефіцієнт ідеальності (7) , Механізм провідності струму. |
| Анотація |
Електричні характеристики переходу Шоткі Au/n-GaN (SJ) вдосконалювалися з використанням ізолюючого шару високоміцного титанату стронцію (SrTiO3) в середині шарів Au і n-GaN. Розглянуто електричні властивості Au/n-GaN SJ та Au/SrTiO3/n-GaN метал/ізолятор/напівпровідник (MIS) переходу методами струм-напруга і ємність-напруга. MIS перехід показав вишуканий випрямляючий характер порівняно з SJ. Встановлено, що послідовний опір та опір шунту становлять 30 Ω, 4.69 106 Ω та 250 Ω, 2.12 109 Ω, відповідно, для SJ та MIS переходу. Розрахункова висота бар'єру і коефіцієнти ідеальності SJ і MIS переходу становили 0.67 еВ, 1.44 і 0.83 еВ, 1.78, відповідно. Більше значення висоти бар’єру було досягнуто для MIS переходу у порівнянні з SJ, що свідчить про те, що висота бар’єру ефективно змінювалася за допомогою шару SrTiO3. Крім того, коефіцієнт ідеальності, висота бар’єру і послідовний опір SJ і MIS переходу оцінювалися за допомогою функції Ченга і порівнювалися між собою. Спостереження показують омічну поведінку в областях з низькою напругою і провідність, обмежену об'ємним зарядом, в областях з вищою напругою у прямому зсуві I-V характеристики для SJ і MIS переходу. Крім того, досліджено механізм провідності зворотного струму витоку SJ і MIS переходу. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Рентгеноспектральне дослідження нанокомпозитів SiO2/TiO2/C [04001-1-04001-4]2) Структурні дослідження фазових переходів в інтеркальованих сполуках графіту з хлоридом йоду та бромом [04002-1-04002-6]
3) Вплив температури підкладки на формування плівок карбіду титану [04003-1-04003-5]
4) Теоретичний аналіз теплопровідності полімерних систем, наповнених вуглецевими нанотрубками [04004-1-04004-6]
5) Нанопориста структура гранул аміачної селітри на стадії фінального сушіння: вплив режиму роботи сушарки [04006-1-04006-4]
6) Магнітоопір ниткоподібних кристалів GaP0.4As0.6 в околі переходу метал-діелектрик [04007-1-04007-5]
7) Моделювання впливу типу захисного кільця на електричні характеристики планарних кремнієвих детекторів типу n-on-p [04008-1-04008-6]
8) Сегментний аналіз обробки зображень за морфологічними вододілами розбавленого магнітного напівпровідника Zn0.97Fe0.03O [04009-1-04009-3]
9) Особливості мікроструктури та трибологічні властивості низьколегованої сталі, модифікованої високоенергетичним плазмовим імпульсом [04010-1-04010-5]
10) Розробка та аналіз трирівневого D-тригеру на базі польового транзисторуз вуглецевих нанотрубок [04011-1-04011-5]
11) Поверхнева наноструктура шарів, отриманих осадженням із водних розчинів [04012-1-04012-6]
12) Розв'язок двовимірного рівняння Шредінгера в симетріях розширеної квантової механіки для модифікованого псевдогармонічного потенціалу: застосування до деяких двохатомних молекул [04013-1-04013-7]
13) Дослідження впливу локалізованих зарядів на параметри лінійності та спотворення для транзисторів з круговим затвором з сегнетоелектричних подвійних матеріалів [04014-1-04014-6]
14) Інженерія забороненої зони в нанокристалічних тонких плівках NiO, отриманих методом спрей-піролізу з розпиленням Fe [04015-1-04015-6]
15) Пори одношарового нітриду бору як середовище для зберігання водню: DFT і IGM методи [04016-1-04016-7]
16) Синтез та характеризація гібридної нанокомпозитної рідини хітозан/магнетит [04017-1-04017-5]
17) Нова багатоступенева модель дифузії водню для негативного зміщення температурної нестабільності [04018-1-04018-6]
18) Наноструктурні покриття на основі аморфного вуглецю і наночастинок золота, отримані імпульсним вакуумно-дуговим методом [04019-1-04019-7]
19) Х-променевий аналіз наночастинок NiCrxFe2 – xO4 з використанням Дебая-Шеррера, Вільямсона-Холла і графічного розмірно-деформаційного методів [04020-1-04020-8]
20) BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією [04021-1-04021-6]
21) Аналоговий мультиплікатор з використанням технології CNTFET [04022-1-04022-5]
22) Комп'ютерне моделювання електротранспортних характеристик наноконтакту “Золото – Біпіридин – Золото” [04023-1-04023-5]
23) Розв'язки нерелятивістських граничних станів модифікованого 2D потенціалу Кіллінгбека, що включає 2D потенціал Кіллінгбека і деякі центральні доданки для гідрогенних атомів і кварконієвої системи [04024-1-04024-8]
24) Вплив зміни температури науково-дослідного реактора на калібрування кластерної динаміки чистого заліза, яке опромінено нейтронами [04025-1-04025-4]
25) Пружні властивості Au, Ag і біметалевих Au@Ag нанодротів з моделювання методами молекулярної динаміки [04026-1-04026-5]
26) Нанопорошок та тонкі плівки ZnO, отримані методом золь-гелю [04027-1-04027-5]
27) Вплив ZnO легованого Al (AZO) як антирефлекторного реагента для системи сонячних елементів, сенсибілізованої барвником [04028-1-04028-5]
28) Вплив робочої температури на ефективність тонкоплівкових сонячних елементів [04029-1-04029-5]
29) Отримання електричних параметрів діода в умовах кімнатної температури в пристрої на основі InAsSb [04030-1-04030-6]
30) Дослідження спектрів фотолюмінесценції нанокристалів ZnSxSe1 – x:Mn, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [04031-1-04031-5]
31) Нелінійність дифузійних резисторів при струмі високої щільності [04032-1-04032-5]
32) Дослідження механізмів теплообміну в склі з використанням методу модуляції поляризації [04033-1-04033-4]
33) Першопринципне моделювання впливу домішок бору на електронну та атомну структуру карбіду титану [04034-1-04034-4]
34) Феромагнетизм нанокомпозицій залізо-мідь [04035-1-04035-5]
35) Ознаки квантово-розмірного квантування в спектрах ЕПР та UV-vis наносистем Al/Au [04036-1-04036-4]
36) Пошук параметра порядку низькотемпературних фазових переходів в нітратах двовалентних елементів [04037-1-04037-3]
