Вплив величини потенціалу зміщення і тиску азотної атмосфери на структуру і властивості вакуумно-дугових покриттів на основі AlCrTiZrNbV високоентропійного сплаву

Автори	О.В. Соболь¹ , А.О. Андреєв² , В.Ф. Горбань³ , Г.О. Постельник¹ , В.O. Столбовий² , О.В. Звягольский¹
Приналежність	¹Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Kирпичова, 2, 61002 Харків, Україна ²Національний науковий центр Харківський фізико-технічний інститут, вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна ³Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича, вул. Кржижанівського, 3, 03142 Київ-142, Україна
Е-mail
Випуск	Том 10, Рік 2018, Номер 5
Дати	Одержано 19.09.2018; у відредагованій формі 25.10.2018; опубліковано online 29.10.2018
Посилання	О.В. Соболь, А.О. Андреєв, В.Ф. Горбань, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05046 (2018)
DOI	https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05046
PACS Number(s)	64.75.St, 81.07.Bc, 62.25. – g, 61.05.cp, 61.82.Rx
Ключові слова	Вакуумна дуга (6) , AlCrTiZrNbV, Потенціал зміщення (8) , Тиск (29) , Структурна інженерія (6) , Фазовий склад (33) , Текстура (11) , Твердість (63) .
Анотація	Досліджено вплив постійного потенціалу зміщення (Ub) якій подається на підкладку при конденсації і тиску азотної атмосфери (РN) на елементний склад, морфологію росту, текстуру і фізико-механічні характеристики вакуумно-дугових (AlCrTiVZrNb)Nх покриттів. Встановлено, що зі збільшенням Ub від – 110 В до – 200 В відбувається зміна осі переважного зростання кристалітів ГЦК фази від [100] до [110]. Така зміна супроводжується зменшенням твердості (Н) і відношення H/E (де Е – модуль пружності). Обговорено умови формування переважної ориентації кристалітів (аксиальной текстури) вакуумно-дугових (AlCrTiVZrNb)Nх покриттів і вплив текстури на механічні властивості. Встановлено, що зміна РN в діапазоні (1.7-5)(10 – 3 Торр в основному дозволяє варіювати ступінь наповнення покриття атомами азоту. На основі виявлених закономірностей обгрунтовані умови досягнення високої твердості в вакуумно-дугових покриттів нітриду високоентропійного сплаву AlCrTiVZrNb. Через наявність в сплаві елементів з відносно низькою теплотою утворення нітриду для досягнення високої твердості необхідно використовувати умови осадження при відносно невисокій енергії бомбардуючих атомів. Використання в роботі невисокого Ub ( – 110 В при найбільшему тиску PN ( 5(10 – 3 Torr дозволяє досягти надтвердого стану з твердістю 44 ГПа
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Дослідження структурних і оптичних властивостей плівок CdS легованих Dy, отриманих методом випаровування в квазізамкненому об'ємі [05001-1-05001-5]
2) Формування потужної мультигармонічної електромагнітної хвилі двопотоковим супергетеродинним лазером на вільних електронах клістронного типу з гвинтовим електронним пучком [05002-1-05002-8]
3) Molybdenum Disulfide Obtained by Template Method as an Electrode Material in Electric Energy Storage Devices [05003-1-05003-4]
4) Tribological Study of Molybdenum Nitrides Under the Effect of Vanadium [05004-1-05004-7]
5) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника PbMnI2 [05005-1-05005-5]
6) Ефекти взаємодії кисню з поверхнею PbTе та їх вплив на термоелектричні властивості матеріалу [05006-1-05006-5]
7) Особливості формування фотоакустичного відгуку в системах з інтерфейсом «наноструктуроване тверде тіло/рідина» [05007-1-05007-4]
8) A Perspective on Zinc Oxide Based Diluted Magnetic Semiconductors [05008-1-05008-5]
9) The Effect of the Fractal Guest Subsystem on the Structure, Heat Capacity and Impedance Response of InSe Crystals Intercalated with Nickel [05009-1-05009-5]
10) Вплив умов нанесення тонких полімерних плівок в вакуумі на їх діелектричні властивості [05010-1-05010-6]
11) Вплив відпалювання на структуру ультратонких плівок золота на поверхні підк-ладок із скла та CdS [05011-1-05011-6]
12) Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells [05012-1-05012-4]
13) Розробка технології отримання багатошарових гранул N4HNO3 з наноструктурними пористими шарами [05013-1-05013-4]
14) Investigation and Design of Novel Comparator in Quantum-dot Cellular Automata Technology [05014-1-05014-4]
15) Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS [05015-1-05015-5]
16) Optical Characterization of Thin Films Poly (Ethylene Oxide) Doped with Cesium Iodide [05016-1-05016-1]
17) Дальнодіюча пасивація домішкових атомів фосфору Pb-центрами та виникнення бар’єрів для електронів у поруватому кремнії n-типу [05017-1-05017-6]
18) Structural and Optoelectronic Properties of Polycrystalline CdS Thick Film Prepared by Screen Printing [05018-1-05018-4]
19) Експериментальна структура пристінної турбулентної течії при дії теплового випромінювання СО2-лазера [05019-1-05019-5]
20) Fabrication of Room Temperature NO2 Gas Sensor based on Silver Nanoparticles-Decorated Carbon Nanotubes [05020-1-05020-6]
21) Дефекти упаковки наноструктурованого карбіду кремнію, дефекти глибоких рівнів та границь зерен [05021-1-05021-6]
22) Емпіричні закономірності змінення з температурою Дебая динамічних, акустичних, структурних, оптичних і колориметричних характеристик іонних кристалів [05022-1-05022-5]
23) A Simple Sonochemical Synthesis of Nanosized ZnO from Zinc Acetate and Sodium Hydroxide [05023-1-05023-4]
24) Циркуляція реактивної енергії ближнього поля електричного диполя та її трансфор-мація в активну енергію поля випромінювання [05024-1-05024-8]
25) Багатошарові рентгенівські дзеркала Sc / Si з бар'єрними шарами CrB2 [05025-1-05025-6]
26) Structure and Electrophysical Properties of Double-component Film Alloys Based on Molybdenum and Iron or Nickel [05026-1-05026-4]
27) About Coherent Electron Transport in Nanocontacts “Nb – DNA – Nb” [05027-1-05027-5]
28) Електричні властивості гетероструктур n-TiN/p-Cd3In2Te6 [05028-1-05028-5]
29) Optimize the Geometrical Parameters of Interdigital Micro-Electrodes Used in Bioimpedance Sensing System [05029-1-05029-4]
30) Ентропійна оцінка процесу лазерного охолодження [05030-1-05030-5]
31) Визначення основних параметрів неосновних носіїв заряду в твердих тілах [05031-1-05031-5]
32) Порівняння принципів керування п’єзоелектричним двигуном та двигуном постійного струму [05032-1-05032-4]
33) Періодична магнітна динаміка наночастинки, збуджуваної зовнішнім полем і спін-поляризованим струмом [05033-1-05033-5]
34) Структурні та електричні властивості тонких плівок з включеннями халькогенідів свинцю [05034-1-05034-4]
35) Boosting CZTSSe Solar Cell Efficiency by Back Surface Field Layer [05035-1-05035-5]
36) Структура електронних енергетичних зон перовскитів BaSnO3 та SrSnO3, обчислена за методами GGA та GW [05036-1-05036-5]
37) Конфігуровані наносхеми з мажоритарною логікою [05037-1-05037-5]
38) Dip Coated ZnO Films for Transparent Window Applications [05038-1-05038-5]
39) Елементно-фазові та структурні дослідження полікристалічних поверхонь сполук сис-теми β-Ga2O3-SnO2 [05039-1-05039-8]
40) Визначення параметра Грюнайзена рентгенографічним методом та явної частини ангармонізму сплавів на основі Cu і Ni [05040-1-05040-4]
41) Багатошарові наноструктуровані покриття (TiZr)N / (TiSi)N, сформовані методом вакуумно-дугового осадження [05041-1-05041-5]
42) Видалення та моніторинг молекулярних комплексів хроматів Li, Na, K, Zn, Cd, Hg за допомогою легованих вуглецевих нанотрубок: розрахункові дослідження у формалізмі ТФГ [05042-1-05042-7]
43) Study of Ethylene Vinyl Acetate (EVA) Films used in Photovoltaic Modules [05043-1-05043-3]
44) Investigation of Absorber Layer Thickness Effect on CIGS Solar Cell in Different Cases of Buffer Layers [05044-1-05044-2]
45) Electrical Performance of CuInSe2 Solar Panels Using Ant Colony Optimization Algorithm [05045-1-05045-3]