Структурні та електричні властивості тонких плівок з включеннями халькогенідів свинцю

Автори Ю.В. Тур1 , І.С. Вірт1 , 2
Приналежність

11Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, вул. Стрийська, 3, 82100 Дрогобич, Україна

2Жешувський університет, вул. С. Пігонія, 1, 35310 Жешув, Польща

Е-mail
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 5
Дати Одержано 22.07.2018, у відредагованій формі – 22.10.2018, опубліковано online 29.10.2018
Посилання Ю.В. Тур, І.С. Вірт, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05034 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05034
PACS Number(s) 73.50.Lw, 84.60.Pb
Ключові слова Халькогеніди металів, Тонкі плівки (64) , Структура (212) , Електричні властивості.The results of experimental investigation of structural and electrical properties of AgSbSe2 films are presented in this work. The films of AgSbSe2 of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1 × 10 – 4 by the pulsed laser deposition method. The parameters of the crystal structure of thin films are determined by X-ray diffractometry and low-energy electrons diffraction of (LEED). () . The temperature behaviour of the electrical conductivity .
Анотація

Наведено результати досліджень структурних та електричних властивостей тонких плівок AgSbSe2. Методом імпульсного лазерного осадження 110–4 Па отримано плівки різної товщини на підкладках зі скла, Al2O3 та KCl. Визначено параметри кристалічної структури тонких плівок методами Х-променевої дифрактометрії та дифракції електронів низької енергії (ДЕНЕ). В залежності від температури росту плівки спостерігається перехід від кристалічної до дрібнокристалічної (аморфної) структури. Досліджено температурний хід електричної провідності, та визначено положення акцепторного рівня.

Перелік посилань

English version of article