Елементно-фазові та структурні дослідження полікристалічних поверхонь сполук сис-теми β-Ga2O3-SnO2

Автори	П.В. Галій¹ , В.І. Васильців¹, А.П. Лучечко¹ , П. Мазур² , Т.М. Ненчук¹ , О.В. Цвєткова¹, І.Р. Яровець¹
Приналежність	¹Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна ²Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, 9, pl. Max Born, 50-204 Wroclaw, Poland
Е-mail	galiy@electronics.lnu.edu.ua
Випуск	Том 10, Рік 2018, Номер 5
Дати	Одержано 08.07.2018, у відредагованій формі – 22.10.2018, опубліковано online 29.10.2019
Посилання	П.В. Галій, В.І. Васильців, А.П. Лучечко та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05039 (2018)
DOI	https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05039
PACS Number(s)	68.47.Fg; 68.37.Ps; 82.80.Pv
Ключові слова	Високотемпературний твердофазовий синтез, Х-променева фотоелектронна спектроскопія (3) , Елементно-фазовий склад (2) , Топографія (4) , Атомна силова мікроскопія поверхонь.
Анотація	У роботі методом високотемпературного твердофазного синтезу одержані полікристалічні напівпровідникові матеріали (ПНМ) системи 2β-Ga₂O₃-SnO₂. Експерименти показали, що ефективність синтезу у системi 2β-Ga₂O₃-SnO₂ залежить від способу отримання вихiдних сполук. Дослідження поверхонь одержаних ПНМ на предмет можливого їх використання у електронних пристроях, що працюють на ефекті поля та на бар’єрах Шоткі для яких міжфазові межі метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник та їх характеристики відіграють вирішальну роль. Зокрема, особливо, елементно-фазовий склад та шорсткість поверхонь ПНМ, які досліджувались адекватним набором експериментальних методів – дифракції повільних електронів (ДПЕ), Х-променевої фотоелектронної спектроскопії (ХФЕС) та атомно-силової мікроскопії (АСМ). Результати дослідження поверхонь ПНМ системи 2β-Ga₂O₃-SnO₂ порівнюються з результатами для поверхонь сколювання монокристалічних β-Ga₂O₃ і вказують на те, що поверхня ПМН є цілком придатною для виготовлення напівпровідникових, керованих електричним полем, пристроїв метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник з металевим керуючим електродом, за умови вибору відносно гладких ділянок на поверхні ПНМ.
	Перелік посилань Повний текст English version of article

Інші статті цього номера

1) Дослідження структурних і оптичних властивостей плівок CdS легованих Dy, отриманих методом випаровування в квазізамкненому об'ємі [05001-1-05001-5]
2) Формування потужної мультигармонічної електромагнітної хвилі двопотоковим супергетеродинним лазером на вільних електронах клістронного типу з гвинтовим електронним пучком [05002-1-05002-8]
3) Molybdenum Disulfide Obtained by Template Method as an Electrode Material in Electric Energy Storage Devices [05003-1-05003-4]
4) Tribological Study of Molybdenum Nitrides Under the Effect of Vanadium [05004-1-05004-7]
5) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника PbMnI2 [05005-1-05005-5]
6) Ефекти взаємодії кисню з поверхнею PbTе та їх вплив на термоелектричні властивості матеріалу [05006-1-05006-5]
7) Особливості формування фотоакустичного відгуку в системах з інтерфейсом «наноструктуроване тверде тіло/рідина» [05007-1-05007-4]
8) A Perspective on Zinc Oxide Based Diluted Magnetic Semiconductors [05008-1-05008-5]
9) The Effect of the Fractal Guest Subsystem on the Structure, Heat Capacity and Impedance Response of InSe Crystals Intercalated with Nickel [05009-1-05009-5]
10) Вплив умов нанесення тонких полімерних плівок в вакуумі на їх діелектричні властивості [05010-1-05010-6]
11) Вплив відпалювання на структуру ультратонких плівок золота на поверхні підк-ладок із скла та CdS [05011-1-05011-6]
12) Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells [05012-1-05012-4]
13) Розробка технології отримання багатошарових гранул N4HNO3 з наноструктурними пористими шарами [05013-1-05013-4]
14) Investigation and Design of Novel Comparator in Quantum-dot Cellular Automata Technology [05014-1-05014-4]
15) Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS [05015-1-05015-5]
16) Optical Characterization of Thin Films Poly (Ethylene Oxide) Doped with Cesium Iodide [05016-1-05016-1]
17) Дальнодіюча пасивація домішкових атомів фосфору Pb-центрами та виникнення бар’єрів для електронів у поруватому кремнії n-типу [05017-1-05017-6]
18) Structural and Optoelectronic Properties of Polycrystalline CdS Thick Film Prepared by Screen Printing [05018-1-05018-4]
19) Експериментальна структура пристінної турбулентної течії при дії теплового випромінювання СО2-лазера [05019-1-05019-5]
20) Fabrication of Room Temperature NO2 Gas Sensor based on Silver Nanoparticles-Decorated Carbon Nanotubes [05020-1-05020-6]
21) Дефекти упаковки наноструктурованого карбіду кремнію, дефекти глибоких рівнів та границь зерен [05021-1-05021-6]
22) Емпіричні закономірності змінення з температурою Дебая динамічних, акустичних, структурних, оптичних і колориметричних характеристик іонних кристалів [05022-1-05022-5]
23) A Simple Sonochemical Synthesis of Nanosized ZnO from Zinc Acetate and Sodium Hydroxide [05023-1-05023-4]
24) Циркуляція реактивної енергії ближнього поля електричного диполя та її трансфор-мація в активну енергію поля випромінювання [05024-1-05024-8]
25) Багатошарові рентгенівські дзеркала Sc / Si з бар'єрними шарами CrB2 [05025-1-05025-6]
26) Structure and Electrophysical Properties of Double-component Film Alloys Based on Molybdenum and Iron or Nickel [05026-1-05026-4]
27) About Coherent Electron Transport in Nanocontacts “Nb – DNA – Nb” [05027-1-05027-5]
28) Електричні властивості гетероструктур n-TiN/p-Cd3In2Te6 [05028-1-05028-5]
29) Optimize the Geometrical Parameters of Interdigital Micro-Electrodes Used in Bioimpedance Sensing System [05029-1-05029-4]
30) Ентропійна оцінка процесу лазерного охолодження [05030-1-05030-5]
31) Визначення основних параметрів неосновних носіїв заряду в твердих тілах [05031-1-05031-5]
32) Порівняння принципів керування п’єзоелектричним двигуном та двигуном постійного струму [05032-1-05032-4]
33) Періодична магнітна динаміка наночастинки, збуджуваної зовнішнім полем і спін-поляризованим струмом [05033-1-05033-5]
34) Структурні та електричні властивості тонких плівок з включеннями халькогенідів свинцю [05034-1-05034-4]
35) Boosting CZTSSe Solar Cell Efficiency by Back Surface Field Layer [05035-1-05035-5]
36) Структура електронних енергетичних зон перовскитів BaSnO3 та SrSnO3, обчислена за методами GGA та GW [05036-1-05036-5]
37) Конфігуровані наносхеми з мажоритарною логікою [05037-1-05037-5]
38) Dip Coated ZnO Films for Transparent Window Applications [05038-1-05038-5]
39) Визначення параметра Грюнайзена рентгенографічним методом та явної частини ангармонізму сплавів на основі Cu і Ni [05040-1-05040-4]
40) Багатошарові наноструктуровані покриття (TiZr)N / (TiSi)N, сформовані методом вакуумно-дугового осадження [05041-1-05041-5]
41) Видалення та моніторинг молекулярних комплексів хроматів Li, Na, K, Zn, Cd, Hg за допомогою легованих вуглецевих нанотрубок: розрахункові дослідження у формалізмі ТФГ [05042-1-05042-7]
42) Study of Ethylene Vinyl Acetate (EVA) Films used in Photovoltaic Modules [05043-1-05043-3]
43) Investigation of Absorber Layer Thickness Effect on CIGS Solar Cell in Different Cases of Buffer Layers [05044-1-05044-2]
44) Electrical Performance of CuInSe2 Solar Panels Using Ant Colony Optimization Algorithm [05045-1-05045-3]
45) Вплив величини потенціалу зміщення і тиску азотної атмосфери на структуру і властивості вакуумно-дугових покриттів на основі AlCrTiZrNbV високоентропійного сплаву [05046-1-05046-5]