Автори | І.В. Горічок1, В.В. Прокопів1, Р.І. Запухляк1, О.М. Матківський1, Т.О. Семко1, І.O. Савеліхіна2, Т.О. Паращук3 |
Афіліація |
1Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, 76018, Івано-Франківськ, Україна 2Івано-Франківський національний медичний університет, вул. Галицька 2, 76018, 3Інститут виробництва передових технологій, вул. Вроцлавська, 37, 30-011, Краків, Польща |
Е-mail | |
Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
Дати | Одержано 12.08.2018; у відредагованій формі 24.10.2018; опубліковано online 29.10.2018 |
Цитування | І.В. Горічок, В.В. Прокопів, Р.І. Запухляк та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05006 (2018) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05006 |
PACS Number(s) | 72.15.Jf, 61.72.up |
Ключові слова | Плюмбум Телурид (3) , Термоелектричні параметри, Дифузія (34) , Окиснення поверхні. |
Анотація |
Представлено результати дослідження термоелектричних властивостей отриманих методом пресування порошку зразків телуриду свинцю. Показано, що адекватна модель структури пресованих зразків повинна враховувати наявність приповерхневого шару, утворення якого пов’язане із взаємодією матеріалу з атмосферним киснем. Проведено розрахунок рухливостей носіїв у зразках з врахуванням механізмів розсіювання носіїв на акустичних фононах та термоелектронної емісії. |
Перелік посилань |