Автори | С.І. Власкіна1, Г.С. Свєчніков2, Г.М. Мішинова3, В.І. Власкін4, В.Є. Родіонов5, В.В. Литвиненко6 |
Афіліація |
1Технологічний інститут Йою (Університет Йою), 338, Сейон-ро, Еою-ган, Гіеонжі-до, 469-705 Південна Корея 2Наіиональный технічний університет «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», пр. Перемоги, 37, Київ, Україна, 3Киівський національний університет імені Траса Шевченка, вул.Володимирська, 64, 01033, Київ, Україна 4 Корпорация Техно 2, 119 Йонгсан-донг 516-1, Дайджеон, Південна Корея, 5Державна установа «Інститут геохімії навколишнього середовища НАН України», пр. Академіка Палладіна,34 А, 03680 Київ, Україна, 6Інститут електрофізики і радіаційних технологій НАН України, Чернишевського 28 а/с 8812, 61002Харків, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
Дати | Одержано 05.09.2018; у відредагованій формі 22.10.2018; опубліковано online 29.10.2018 |
Цитування | С.І. Власкіна, Г.С. Свєчніков, Г.М. Мішинова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05021 (2018) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05021 |
PACS Number(s) | 78.20. – e, 78,55.m, 78.67.Bf |
Ключові слова | Карбід кремнію (7) , Політип (2) , Дефект упаковки, Спектр фотолюмінесценції (2) . |
Анотація |
У роботі аналізуються фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають при вирощуванні. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектру відображають закономірності політичної структури SiC .Аналіз спектру нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і ганиць зерен в фотолюмінесцентному спектрі дає можливість контролювати процеси фазових перетворень при вирощуванні кристалів та плівок а також при проведенні технологічних операцій. Більш того, це також дає можливість в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь в фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 ангстрем (або 1,075 меВ) |
Перелік посилань |