Дефекти упаковки наноструктурованого карбіду кремнію, дефекти глибоких рівнів та границь зерен

Автори С.І. Власкіна1, Г.С. Свєчніков2, Г.М. Мішинова3, В.І. Власкін4, В.Є. Родіонов5, В.В. Литвиненко6
Приналежність

1Технологічний інститут Йою (Університет Йою), 338, Сейон-ро, Еою-ган, Гіеонжі-до, 469-705 Південна Корея

2Наіиональный технічний університет «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», пр. Перемоги, 37, Київ, Україна,

3Киівський національний університет імені Траса Шевченка, вул.Володимирська, 64, 01033, Київ, Україна

4 Корпорация Техно 2, 119 Йонгсан-донг 516-1, Дайджеон, Південна Корея,

5Державна установа «Інститут геохімії навколишнього середовища НАН України», пр. Академіка Палладіна,34 А, 03680 Київ, Україна,

6Інститут електрофізики і радіаційних технологій НАН України, Чернишевського 28 а/с 8812, 61002Харків, Україна

Е-mail
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 5
Дати Одержано 05.09.2018; у відредагованій формі 22.10.2018; опубліковано online 29.10.2018
Посилання С.І. Власкіна, Г.С. Свєчніков, Г.М. Мішинова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05021 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05021
PACS Number(s) 78.20. – e, 78,55.m, 78.67.Bf
Ключові слова Карбід кремнію (6) , Політип (2) , Дефект упаковки, Спектр фотолюмінесценції (2) .
Анотація

У роботі аналізуються фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають при вирощуванні. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектру відображають закономірності політичної структури SiC .Аналіз спектру нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і ганиць зерен в фотолюмінесцентному спектрі дає можливість контролювати процеси фазових перетворень при вирощуванні кристалів та плівок а також при проведенні технологічних операцій. Більш того, це також дає можливість в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь в фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 ангстрем (або 1,075 меВ)

Перелік посилань