| Автори | Ф.О. Птащенко |
| Афіліація |
Національний університет «Одеська морська академія», вул. Дідріхсона, 8, 65029 Одеса, Україна |
| Е-mail | fed.ptas@gmail.com |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
| Дати | Одержано 11.08.2018, у відредагованій формі – 22.10.2018, опубліковано online 29.10.2018 |
| Цитування | Ф.О. Птащенко, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05017 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05017 |
| PACS Number(s) | 68.43.Bc, 82.65._r |
| Ключові слова | Квантово-хімічні розрахунки (6) , Поруватий кремній (21) , Кулонівська блокада, Рb-центри. |
| Анотація |
В роботі на основі квантовохімічних розрахунків показано, що пасивація домішкових атомів фосфору в поруватому кремнії n-типу (n-PS) поверхневими атомами кремнію з обірваними зв’язками (pb-центрами) може відбуватися на великих відстанях – до 25 Å, тобто через десятки атомних шарів. Негативний заряд pb-центрів, що виникає при цьому, спричинює виникнення областей зниженого потенціалу і кулонівських бар’єрів для вільних електронів у n-PS. Це дозволяє пояснити низьку концентрацію вільних носіїв заряду та низьку провідність n-PS у порівнянні з вихідною кремнієвою підкладкою. |
|
Перелік посилань English version of article |