Автори | Е.В. Майструк , Т.Т. Ковалюк, М.М. Солован , П.Д. Мар’янчук |
Афіліація |
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
Дати | Одержано 10.07.2018, у відредагованій формі – 22.10.2018, опубліковано online 29.10.2018 |
Цитування | Е.В. Майструк, Т.Т. Ковалюк, М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 5, 05028 (2018) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(5).05028 |
PACS Number(s) | 73.61.Ph, 78.40.Fy |
Ключові слова | Тонка плівка (27) , Гетероструктура (18) , Механізми струмопереносу (4) , TiN (97) , Cd3In2Te6. |
Анотація |
Виготовлені гетероструктури n-TiN/p-Cd3In2Te6 методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок нітриду титану на підкладки з кристалів p-Cd3In2Te6. Досліджено кінетичні властивості кристалів Cd3In2Te6, а також темнові вольт-амперні характеристики гетероструктури n-TiN/p-Cd3In2Te6 в інтервалі температур Т ( 295-347 К. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на границі розділу n-TiN/p-Cd3In2Te6 і тунелювання, при зворотних зміщеннях - тунелювання. |
Перелік посилань English version of article |