Автори | Г.П. Пархоменко , М.М. Солован , П.Д. Мар’янчук |
Афіліація |
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
Дати | Одержано 20.11.2017, опубліковано online 29.04.2018 |
Цитування | Г.П. Пархоменко, М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02028 (2018) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02028 |
PACS Number(s) | 72.20. – i |
Ключові слова | Гетероперехід (14) , Механізми струмопереносу (4) , NiO (21) , SiC (29) . |
Анотація |
Виготовлені гетероструктури p-NiO/n-SiC методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-SiC. Досліджено їх темнові вольт-амперні характеристики в широкому діапазоні температур. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання. При зворотних зміщеннях основним механізмом струмопереносу є тунелювання через потенціальний бар’єр за участю енергетичного рівня з глибиною залягання 0.47 еВ. |
Перелік посилань English version of article |