Механізми струмопереносу в анізотипних гетеропереходах p-NiO/n-SiC

Автори Г.П. Пархоменко , М.М. Солован , П.Д. Мар’янчук
Приналежність

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна

Е-mail
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 2
Дати Одержано 20.11.2017, опубліковано online 29.04.2018
Посилання Г.П. Пархоменко, М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02028 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02028
PACS Number(s) 72.20. – i
Ключові слова Гетероперехід (12) , Механізми струмопереносу (4) , NiO (20) , SiC (28) .
Анотація

Виготовлені гетероструктури p-NiO/n-SiC методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-SiC. Досліджено їх темнові вольт-амперні характеристики в широкому діапазоні температур. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання. При зворотних зміщеннях основним механізмом струмопереносу є тунелювання через потенціальний бар’єр за участю енергетичного рівня з глибиною залягання 0.47 еВ.

Перелік посилань

English version of article