Електричні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур МоOх/n-Si

Автори М.М. Солован
Приналежність

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна

Е-mail
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 2
Дати Одержано 10.11.2017, опубліковано online 29.04.2018
Посилання М.М. Солован, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02030 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02030
PACS Number(s) 47.15.km, 72.20. – i
Ключові слова Гетероструктура (16) , Потенціальний бар’єр (2) , Механізми струмопереносу (4) , Енергетична діаграма (2) , МoOx, Si (554) .
Анотація

Виготовлено гетеропереходи МоOх/n-Si шляхом нанесення тонких плівок МоOх методом реактивного магнетронного розпилення на підкладки кремнію. Виміряні вольт-ампері характеристики (ВАХ) отриманих гетеропереходів при різних температурах. Проаналізовано температурну залежність висоти потенціального бар'єру та послідовного опору гетеропереходу. Побудовано енергетичну діаграму досліджуваних гетеропереходів. Оцінено концентрацію поверхневих станів на межі розділу гетеропереходу та встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджувані гетеропереходи при прямому і зворотному зміщеннях.Встановлено, що гетероструктура MoOx/n-Si, має максимальну напругу холостого ходу Voc = 0.167 B, густину струму короткого замикання Isc ( 8.56 мА/см2. Проаналізовано можливості застосування отриманої гетероструктури в якості фотодіоду.

Перелік посилань

English version of article