Автори | С.Л. Хрипко , О.К. Головко |
Афіліація |
Запорізька державна інженерна академія, пр. Соборний, 226, 69006 Запоріжжя, Україна |
Е-mail | akgolovko@gmail.com |
Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
Дати | Одержано 03.11.2017; опубліковано online 29.04.2018 |
Цитування | С.Л. Хрипко, О.К. Головко, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02015 (2018) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02015 |
PACS Number(s) | 61.20.Gy, 81.07.Bc |
Ключові слова | Мікро- та наноелектроніка (2) , Кремній (92) , Розплав (6) , Мікрокластер (2) , Атомний ланцюжок (2) , Щільність ймовірностей (2) , Ентропія (4) . |
Анотація |
Визначена кластерна складова повної ентропії розплаву кремнію в припущенні гамма-розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв’язками. Ентропія розрахована для температур, характерних для практики вирощування монокристалів з розплаву, а також осадження з парової фази індивідуальних кластерів кремнію. Результати оцінок узгоджуються з літературними даними для ентропії кластерів в простих рідинах. Ентропія двох- та трьохатомних мікрокластерів при температурах, близьких до температури плавлення кремнію, змінюється немонотонно. Це свідчить про те, що в процесі вирощування монокристала в розплаві кремнію поблизу фронту кристалізації відбувається безперервна структурна перебудова. Робота переслідує мету поглиблення уявлень про структурні аспекти кристалізації елементарних напівпровідників з росплаву, що може бути корисним для удосконалення процесів вирощування їхніх монокристалів і аморфних плівок. |
Перелік посилань |