Особливості впливу невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання на фотоелектричні та спектральні характеристики структур власний оксид-ІnSe

Автори О.М. Сидор, О.А. Сидор , З.Д. Ковалюк
Приналежність

Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України, вул. Ірини Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна

Е-mail sydor.oleh@gmail.com
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 2
Дати Одержано 08.11.2017, опубліковано online 29.04.2018
Посилання О.М. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02023 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02023
PACS Number(s) 81.65.Mq, 78.20. – e, 78.56. – a, 61.80.Ed
Ключові слова Шаруватий напівпровідник, Селенід індію (11) , Гамма-випромінювання, Термічне окислення (2) , Власний оксид, Гетероструктура (16) , Фотовідгук (3) .
Анотація

У роботі досліджено вплив малих доз (D  140 Гр) гальмівних гамма-квантів (Ееф  3 МеВ) у діапазоні флюенсів 1012-1013 см–2 на фотоелектричні та спектральні параметри двох типів гетероструктур (ГС) власний оксид-р-ІnSe, сформованих короткочасним (1 година) та довготривалим (96 годин) термічним окисленням. Спектри фотовідгуку (h) не показали суттєвих змін форми чи енергетичного положення з опроміненням. Спостерігалися тільки позитивний ріст абсолютних значень фотоструму та поява екситонного максимуму при кімнатній темепературі. Показано, що оба типи ГС продемонстрували тенденцію до покращення параметрів. Так, зросла крутизна довгохвильової границі спектрів фотовідгуку, збільшились монохроматичні ампер-ватні SI та вольт-ватні SU чутливості, напруга холостого ходу Uхх та струм короткого замикання Jкз. Вплив радіації проявляється в появі простих точкових дефектів вакансійної природи та їх взаємодії з дефектною структурою шаруватого напівпровідника при мінімальному впливі на плівку його власного оксиду.

Перелік посилань

English version of article