Автори | В.І. Шмід, С.П. Назаров, А.О. Подолян , А.Б. Надточій, О.О. Коротченков |
Афіліація |
Київський національний університет ім. Т.Г. Шевченка, пр. Акад. Глушкова, 2, 03022 Київ, Україна |
Е-mail | hmdvi@gmail.com |
Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
Дати | Одержано 31.10.2017; у відредагованій формі – 28.04.2018; опубліковано online 29.04.2018 |
Цитування | В.І. Шмід, С.П. Назаров, А.О. Подолян, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02024 (2018) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02024 |
PACS Number(s) | 73.61.Ph, 73.50.Pz |
Ключові слова | Кінетика SPV, Нанокомпозитні плівки (2) , Фото-е.р.с (2) . |
Анотація |
У роботi методами поверхневої фото-е.р.с., FTIR- спектроскопiї та вимірюванням частотних залежностей діелектричної проникності проведено дослідження структури типу "кремнієва підкладка/нанокомпозитний епоксидно-полімерний шар". Виявлено, що нанесення на кремнієву підкладку нанокомпозитної плівки на основі епоксидної смоли з порошком SiO2 зумовлює зменшення амплітуди фото-е.р.с з одночасним її релаксації. Отримані дані пояснюються в припущенні, що взаємодія карбонільних і гідроксильних груп зв’язувача з активними центрами наповерхні частинок SiO2 і встановлення SiO та SiN зв’язків на поверхні кремнію змінює умови рекомбінації носіїв заряду та вигин зон в приповерхневому шарі Si. |
Перелік посилань English version of article |