Використання вольфраму як бар’єрного шару у багатошарових рентгенівських дзеркалах Sc/Si
| Автори | Ю.П. Першин1 , В.С. Чумак1, Е.Н. Зубарєв1, А.Ю. Девізенко1, В.В. Кондратенко1 , J.F. Seely2 |
| Приналежність |
1Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна 2Naval Research Laboratory, Space Science Division, Code 7674, Washington D.C. 20375, USA |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
| Дати | Одержано 15.01.2018; у відредагованій формі – 25.04.2018; опубліковано online 29.04.2018 |
| Посилання | Ю.П. Першин, В.С. Чумак, Е.Н. Зубарєв, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 2, 02032 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02032 |
| PACS Number(s) | 61.05.cm, 61.43.Dq, 68.65.Ac, 41.50. + h, 07.85.Fv |
| Ключові слова | Багатошарове рентгенівське дзеркало (4) , Перемішані зони (2) , Бар'єрні шари (2) , Зменшення перемішування (2) , Зростання відбивної здатності. |
| Анотація |
Методами рентгенівської дифракції (λ = 0,154 нм), просвічувальної електронної мікроскопії поперечних зрізів і рефлектометрії в м'якій рентгенівської області (λ = 25-50 нм) досліджені бар'єрні властивості шарів вольфраму товщиною 0,1-2,1 нм в багатошарових рентгенівських дзеркалах (БРД) Sc/W/Si, виготовлених методом прямоточного магнетронного розпилення. Показано, що шари вольфраму товщиною 0,6-0,8 нм відокремлюють шари Sc і Si і перешкоджають утворенню перемішаної зони ScSi. Вольфрам, взаємодіючи з шарами Si, формує аморфний прошарок, товщина якого менше товщини перемішаних зон ScSi, що утворюються в МРЗ Sc/Si без бар’єрів. При tW < 0,5 нм вольфрам на скандії не утворює суцільну плівку. Введення бар'єрних шарів товщиною t = 0,3-0,8 нм призводить до зростання відбивної здатності в м'якій рентгенівської області (λ ≈ 38 нм), щонайменше, в 2,5 рази в порівнянні з МРЗ Sc/Si. Максимальний коефіцієнт відбиття (R ≈ 25 %, λ ≈ 38 нм) спостерігається при введенні бар'єрних шарів товщиною tW ≈ 0,54 нм. Обговорюються шляхи подальшого удосконалення технології нанесення бар'єрних шарів і підвищення відбивної здатності БРД Sc/Si. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Вплив матеріалу шару на частотні характеристики багатомодового приймача [02001-1-02001-5]2) Дослідження фотолюмінесценції ZnO наноструктур, вирощених гідротермічним методом [02002-1-02002-4]
3) Особливості електрон-електронної взаємодії в квантово-розмірних об’єктах [02003-1-02003-6]
4) Фізичні основи створення безконтактних ультразвукових частотних сенсорів для дослідження нанокристалічних феромагнітних матеріалів [02004-1-02004-9]
5) Nanoparticles Transport Using Polymeric Nano- and Microgranules: Novel Approach for Advanced Material Design and Medical Applications [02005-1-02005-6]
6) Electrothermal and Optical Properties of Hybrid Polymer Composites [02006-1-02006-5]
7) Механічні та електричні властивості феритів NixCo1 – xFe2O4 [02007-1-02007-6]
8) Електрофізичні властивості наноструктурованих сегнетоелектриків в потужних імпульсних електричних полях [02008-1-02008-5]
9) Formation of the Microcrystalline Structure in LiNbO3 Thin Films by Pulsed Light Annealing [02009-1-02009-4]
10) Physical Adsorption of N-containing Heterocycles on Hexagonal Boron Nitride: DFT-D3 Study [02010-1-02010-6]
11) Effects of Three-Dimensional Noncommutative Theories on Bound States Schrödinger Molecular under New Modified Kratzer-type Interactions [02011-1-02011-6]
12) Investigation of Urbach Energy of CdS Thin Films as Buffer Layer for CIGS Thin Film Solar Cell [02012-1-02012-5]
13) НВЧ теорія ефективного середовища для метаматеріала з циліндричними феромагнітними включеннями з довільною формою поперечного перерізу [02013-1-02013-6]
14) Множинні взаємодії хвиль в мультигармонічних двопотокових супергетеродинних лазерах на вільних електронах з гвинтовими електронними пучками [02014-1-02014-9]
15) Ентропія кластерної системи в розплаві кремнію [02015-1-02015-5]
16) The Influence of Laser Irradiation and Ultrasound on the Structure, Surface Condition and Electrical Properties of TiS2/C Composites [02016-1-02016-5]
17) Поліграфенові покриття на міді: механізми зародження та ростуПолиграфеновые покрытия на меди: механизмы зарождения и роста [02017-1-02017-6]
18) Структура та електрохімічні властивості пористих вуглецевих матеріалів, отриманих із сахаридів [02018-1-02018-7]
19) Photoluminescence Excitation in Nanocomposites Polyvinylpyrrolidone/ZnO [02019-1-02019-5]
20) Ionization of Impurities by a Constant Electric Field in Graphene with a Wide Forbidden Band [02020-1-02020-5]
21) Modelling Graphene-based Transparent Electrodes for Si Solar Cells by Artificial Neural Networks [02021-1-02021-6]
22) Energy Efficient Design of Four-operand Multiplier Architecture using CNTFET Technology [02022-1-02022-8]
23) Особливості впливу невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання на фотоелектричні та спектральні характеристики структур власний оксид-ІnSe [02023-1-02023-7]
24) Фото-електричні властивості кремнієвих структур із нанокомпозитним епоксидно-полімерним шаром [02024-1-02024-6]
25) Термодинаміка квазістійких станів ПВХ з металонанодисперсним наповнювачем [02025-1-02025-5]
26) Неоднорідні стани в тонкошарових кристалах з неспівмірною надструктурою [02026-1-02026-6]
27) Comparative Study of Temperature Effect on Thin Film Solar Cells [02027-1-02027-6]
28) Механізми струмопереносу в анізотипних гетеропереходах p-NiO/n-SiC [02028-1-02028-4]
29) Фотоелектричні процеси в тонкоплівкових сонячних елементах на основі CdS / CdTe з органічним тильним контактом [02029-1-02029-4]
30) Електричні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур МоOх/n-Si [02030-1-02030-6]
31) Studies on Cu and TiO2 Water-based Nanofluids: A Comparative Approach in Laminar Flow [02031-1-02031-6]
32) Забезпечення синхронізації мод в волоконних кільцевих лазерах [02033-1-02033-8]
33) Refinement Analysis using the Rietveld Method of Nd1.2Fe1O3 Oxide Material Synthesized by Solid-State Reaction [02034-1-02034-4]
34) Вплив постійного і високовольтного імпульсного потенціалів зміщення на структуру і властивості вакуумно-дугових (TiVZrNbHf)Nх покриттів [02035-1-02035-6]
35) Properties of Undoped and (Al, In) Doped ZnO Thin Films Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis for Solar Cell Applications [02036-1-02036-5]
36) Джозефсонівський контакт малої ємності у флуктуючому середовищі [02037-1-02037-7]
37) Transport Phenomena for Development Inductive Elements Based on Silicon Wires [02038-1-02038-5]
38) Effect of Iron Doping on Physical Properties of NiO Thin Films [02039-1-02039-4]
39) Indirect Interaction in Graphene Nanostructures [02040-1-02040-3]
40) Thin Film Systems Based on ZnO/SiC and ZnO/C [02041-1-02041-3]
41) Design of Band-Stop Filter Composed of Array Rectangular Split Ring Resonators [02042-1-02042-3]
42) HIFU Transducers Designs and Ultrasonic Treatment Methods for Biological Tissues [02043-1-02043-3]
43) Impact of Inter-Wall Distance on Physical Properties of Metal-Semiconducting Double Walled Carbon Nanotube Quantum Dot [02044-1-02044-3]
44) Performance of p-i-n Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells Device [02045-1-02045-3]
45) Collision of Two-dimensional Ultrashort Optical Pulses in the Medium with Carbon Nanotubes and the Order Parameter [02046-1-02046-3]
46) Structure Features of Bismuth Films Doped with Tellurium [02047-1-02047-3]
