Energy Efficient Design of Four-operand Multiplier Architecture using CNTFET Technology
| Автори | N. Charmchi, M.R. Reshadinezhad |
| Афіліація |
Faculty of Computer Engineering, University of Isfahan, 8174673441 Isfahan, Iran |
| Е-mail | m.reshadinezhad@eng.ui.ac.ir |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 2 |
| Дати | Одержано 21.08.2017; у відредагованій формі 28.04.2018; опубліковано online 29.04.2018 |
| Цитування | N. Charmchi, M.R. Reshadinezhad, J. Nano- Electron. Phys. 10, No 2, 02022 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02022 |
| PACS Number(s) | 84.30. − r, 85.35.Kt |
| Ключові слова | Multi-operand multipliers, Fast multipliers, CNTFET nanotechnology multipliers, CNTFET full adders, Parallel multipliers. |
| Анотація |
Multiplication is an essential part of digital arithmetic, due to its application in video and voice processing, FIR filters, cryptography and other related concepts. Reducing the power consumption and increasing the speed of multipliers will affect the performance of any VLSI system. An approach to accomplish the desired objective for the researchers is applying nano-technologies in implementing VLSI circuits. Carbon nanotube technology is an appropriate option among emerging nano-devices, due to its similarities to the preceding technology, MOSFET. Three new architectures are proposed for a four-bit four-operand multiplier. These multipliers and the conventional four-bit four-operand multiplier are designed, implemented and simulated through carbon nanotube field effect transistors. Evaluations and comparisons are run through HSPICE simulator, through using carbon nanotube technology. These multipliers outperform the common four-operand multiplication run on computers nowadays, referred to as conventional multiplier in this article. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив матеріалу шару на частотні характеристики багатомодового приймача [02001-1-02001-5]2) Дослідження фотолюмінесценції ZnO наноструктур, вирощених гідротермічним методом [02002-1-02002-4]
3) Особливості електрон-електронної взаємодії в квантово-розмірних об’єктах [02003-1-02003-6]
4) Фізичні основи створення безконтактних ультразвукових частотних сенсорів для дослідження нанокристалічних феромагнітних матеріалів [02004-1-02004-9]
5) Nanoparticles Transport Using Polymeric Nano- and Microgranules: Novel Approach for Advanced Material Design and Medical Applications [02005-1-02005-6]
6) Electrothermal and Optical Properties of Hybrid Polymer Composites [02006-1-02006-5]
7) Механічні та електричні властивості феритів NixCo1 – xFe2O4 [02007-1-02007-6]
8) Електрофізичні властивості наноструктурованих сегнетоелектриків в потужних імпульсних електричних полях [02008-1-02008-5]
9) Formation of the Microcrystalline Structure in LiNbO3 Thin Films by Pulsed Light Annealing [02009-1-02009-4]
10) Physical Adsorption of N-containing Heterocycles on Hexagonal Boron Nitride: DFT-D3 Study [02010-1-02010-6]
11) Effects of Three-Dimensional Noncommutative Theories on Bound States Schrödinger Molecular under New Modified Kratzer-type Interactions [02011-1-02011-6]
12) Investigation of Urbach Energy of CdS Thin Films as Buffer Layer for CIGS Thin Film Solar Cell [02012-1-02012-5]
13) НВЧ теорія ефективного середовища для метаматеріала з циліндричними феромагнітними включеннями з довільною формою поперечного перерізу [02013-1-02013-6]
14) Множинні взаємодії хвиль в мультигармонічних двопотокових супергетеродинних лазерах на вільних електронах з гвинтовими електронними пучками [02014-1-02014-9]
15) Ентропія кластерної системи в розплаві кремнію [02015-1-02015-5]
16) The Influence of Laser Irradiation and Ultrasound on the Structure, Surface Condition and Electrical Properties of TiS2/C Composites [02016-1-02016-5]
17) Поліграфенові покриття на міді: механізми зародження та ростуПолиграфеновые покрытия на меди: механизмы зарождения и роста [02017-1-02017-6]
18) Структура та електрохімічні властивості пористих вуглецевих матеріалів, отриманих із сахаридів [02018-1-02018-7]
19) Photoluminescence Excitation in Nanocomposites Polyvinylpyrrolidone/ZnO [02019-1-02019-5]
20) Ionization of Impurities by a Constant Electric Field in Graphene with a Wide Forbidden Band [02020-1-02020-5]
21) Modelling Graphene-based Transparent Electrodes for Si Solar Cells by Artificial Neural Networks [02021-1-02021-6]
22) Особливості впливу невеликих доз високоенергетичного гамма-випромінювання на фотоелектричні та спектральні характеристики структур власний оксид-ІnSe [02023-1-02023-7]
23) Фото-електричні властивості кремнієвих структур із нанокомпозитним епоксидно-полімерним шаром [02024-1-02024-6]
24) Термодинаміка квазістійких станів ПВХ з металонанодисперсним наповнювачем [02025-1-02025-5]
25) Неоднорідні стани в тонкошарових кристалах з неспівмірною надструктурою [02026-1-02026-6]
26) Comparative Study of Temperature Effect on Thin Film Solar Cells [02027-1-02027-6]
27) Механізми струмопереносу в анізотипних гетеропереходах p-NiO/n-SiC [02028-1-02028-4]
28) Фотоелектричні процеси в тонкоплівкових сонячних елементах на основі CdS / CdTe з органічним тильним контактом [02029-1-02029-4]
29) Електричні та фотоелектричні властивості поверхнево-бар’єрних структур МоOх/n-Si [02030-1-02030-6]
30) Studies on Cu and TiO2 Water-based Nanofluids: A Comparative Approach in Laminar Flow [02031-1-02031-6]
31) Використання вольфраму як бар’єрного шару у багатошарових рентгенівських дзеркалах Sc/Si [02032-1-02032-8]
32) Забезпечення синхронізації мод в волоконних кільцевих лазерах [02033-1-02033-8]
33) Refinement Analysis using the Rietveld Method of Nd1.2Fe1O3 Oxide Material Synthesized by Solid-State Reaction [02034-1-02034-4]
34) Вплив постійного і високовольтного імпульсного потенціалів зміщення на структуру і властивості вакуумно-дугових (TiVZrNbHf)Nх покриттів [02035-1-02035-6]
35) Properties of Undoped and (Al, In) Doped ZnO Thin Films Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis for Solar Cell Applications [02036-1-02036-5]
36) Джозефсонівський контакт малої ємності у флуктуючому середовищі [02037-1-02037-7]
37) Transport Phenomena for Development Inductive Elements Based on Silicon Wires [02038-1-02038-5]
38) Effect of Iron Doping on Physical Properties of NiO Thin Films [02039-1-02039-4]
39) Indirect Interaction in Graphene Nanostructures [02040-1-02040-3]
40) Thin Film Systems Based on ZnO/SiC and ZnO/C [02041-1-02041-3]
41) Design of Band-Stop Filter Composed of Array Rectangular Split Ring Resonators [02042-1-02042-3]
42) HIFU Transducers Designs and Ultrasonic Treatment Methods for Biological Tissues [02043-1-02043-3]
43) Impact of Inter-Wall Distance on Physical Properties of Metal-Semiconducting Double Walled Carbon Nanotube Quantum Dot [02044-1-02044-3]
44) Performance of p-i-n Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells Device [02045-1-02045-3]
45) Collision of Two-dimensional Ultrashort Optical Pulses in the Medium with Carbon Nanotubes and the Order Parameter [02046-1-02046-3]
46) Structure Features of Bismuth Films Doped with Tellurium [02047-1-02047-3]
