Внесок детекторних двофотонних електронних переходів у формування динамічної провідності трибар’єрних резонансно-тунельних структур

Автори І.В. Бойко , М.Р. Петрик , Г.Б. Цуприк
Приналежність

Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, вул. Руська, 56, 46001 Тернопіль, Україна

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 4
Дати Одержано 03.10.2015, опубліковано online - 24.12.2015
Посилання І.В. Бойко, М.Р. Петрик, Г.Б. Цуприк, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04078 (2015)
DOI
PACS Number(s) 73.21.Ac, 73.40.Gk, 73.63.Hs
Ключові слова Резонансно-тунельна структура (4) , Квантовий каскадний детектор (6) , Активна динамічна провідність, Резонансні енергії (2) , Резонансні ширини, Двофотонні електронні переходи.
Анотація У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона, з використанням знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури у слабкому електромагнітному полі з урахуванням вкладу детекторних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що величина вкладу двофотонних переходів у формуванні загальної величини активної динамічної провідності в детекторних переходах не менша 35 %.

Перелік посилань

English version of article