Автори | С.К. Губа1, В.М. Юзевич1,2,3 |
Афіліація | 1 Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна 2 Фізико-механічний інститут ім. Г. В. Карпенка Національної академії наук України, вул. Наукова 5, 79060 Львів, Україна 3 Куявсько-Поморська школа вища в Бидгощі, вул. Торуньська, 55-57, 85-023, Бидгощ, Польща |
Е-mail | |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Дати | Одержано 14.09.2015, у відредагованій формі - 04.11.2015, опубліковано online - 24.12.2015 |
Цитування | С.К. Губа, В.М. Юзевич, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04065 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 68.65. Hb, 81.10.Aj |
Ключові слова | Квантова точка (10) , Самоорганізація (7) , Енергетичні характеристики поверхневих шарів, Система GaAs / In / InAs. |
Анотація | Розраховані результати дають можливість досліджувати (аналізувати) характеристики міжфазних шарів на межах поділу КТ InAs / ЗШ In, ЗШ In / GaAs, КТ InAs / GaAs підкладка (ЗШ – змочуючий шар металу). Вони можуть бути використані для аналізу, тобто визначення загальних закономірностей зміни енергетичних параметрів КТ InAs в матриці GaAs(100). Крім того вони корисні при моделюванні зміни енергетичних характеристик поверхневих шарів, які характеризують механізми взаємодії і релаксації пружних напружень та поверхневих енергій системи GaAs / In / InAs. |
Перелік цитувань English version of article |