Температурні зміни енергетичних характеристик поверхневого шару квантових точок InAs в матриці GaAs

Автори С.К. Губа1, В.М. Юзевич1,2,3
Афіліація

1 Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

2 Фізико-механічний інститут ім. Г. В. Карпенка Національної академії наук України, вул. Наукова 5, 79060 Львів, Україна

3 Куявсько-Поморська школа вища в Бидгощі, вул. Торуньська, 55-57, 85-023, Бидгощ, Польща

Е-mail
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 4
Дати Одержано 14.09.2015, у відредагованій формі - 04.11.2015, опубліковано online - 24.12.2015
Цитування С.К. Губа, В.М. Юзевич, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04065 (2015)
DOI
PACS Number(s) 68.65. Hb, 81.10.Aj
Ключові слова Квантова точка (10) , Самоорганізація (7) , Енергетичні характеристики поверхневих шарів, Система GaAs / In / InAs.
Анотація Розраховані результати дають можливість досліджувати (аналізувати) характеристики міжфазних шарів на межах поділу КТ InAs / ЗШ In, ЗШ In / GaAs, КТ InAs / GaAs підкладка (ЗШ – змочуючий шар металу). Вони можуть бути використані для аналізу, тобто визначення загальних закономірностей зміни енергетичних параметрів КТ InAs в матриці GaAs(100). Крім того вони корисні при моделюванні зміни енергетичних характеристик поверхневих шарів, які характеризують механізми взаємодії і релаксації пружних напружень та поверхневих енергій системи GaAs / In / InAs.

Перелік цитувань

English version of article