Автори | Д.П. Слободзян , Б.В. Павлик , М.О. Кушлик |
Афіліація | Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. ген. Тарнавського, 107, 79017 Львів, Україна |
Е-mail | slobodzyan_d@ukr.net |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 4 |
Дати | Одержано 28.07.2015, опубліковано online - 10.12.2015 |
Цитування | Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04051 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 61.72.Lk, 61.72.Uf, 73.20.At, 73.40.Qv, 74.25.Ha, 78.70. – g |
Ключові слова | Кремній (88) , Поверхнево-бар’єрна структура, Х-випромінювання, Магнітне поле (31) , Дислокації (5) , Вольт-амперна характеристика (12) , Вольт-фарадна характеристика (2) , Поверхневі стани. |
Анотація | У роботі описано вплив малих доз Х-випромінювання (D < 400 Гр) та слабкого магнітного поля (B = 0,17 Тл) на зміну вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик поверхнево-бар’єрних структур Bi-Si-Al на основі кристалів p-Si з концентрацією дислокацій > 102 см – 2 в приповерхневому шарі кремнію. Досліджено та проаналізовано процес накопичення заряду в діелектричному шарі SiO2 таких структур за дії зовнішніх полів. |
Перелік цитувань English version of article |