Отримання об'ємного композиту на основі наночасток Bi2Te3-SiO2 і його електропровідність

Автори М.Н. Япринцев1 , Р.А. Любушкін1, Є.М. Алифанова1, О.Н. Іванов1 , Л.В. Маліков2
Приналежність

1 Бєлгородський державний національний дослідницький університет, Центр колективного користування науковим обладнанням «Діагностика структури і властивостей наноматеріалів», вул. Победи 85, 308015 Бєлгород, Росія

2 Фізико-технологічний центр МОН і НАН Украхни, пл. Свободи, 6, 61022 Харків, Україна

Е-mail yaprintsev@bsu.edu.ru
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 4
Дати Одержано 01.10.2015, у відредагованій формі - 09.11.2015, опубліковано online - 10.12.2015
Посилання М.Н. Япринцев, Р.А. Любушкін, Є.М. Алифанова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04040 (2015)
DOI
PACS Number(s) 65.80. – g, 82.60.Qr, 73.40.Gk
Ключові слова Tеллурід вісмуту, Сольвотермально-мікрохвильовий синтез, Морфологія (25) , Tунельний тип провідності.
Анотація Наночастки Bi2Te3-SiO2 були синтезовані методом сольвотермально-мікрохвильового відновлення оксидних прекурсорів вісмуту і телуру з одночасним гідролізом тетраетілортосіліката (ТЕОС). Компактування проводили методом холодного ізостатичного пресуванні з подальшим спіканням. Отриману систему можна розглядати як напівпровідниковий термоелектричний матеріал, що містить структурні неоднорідності у вигляді включень з низькою теплопровідністю – SiO2. Було встановлено, що композит є однофазним телуриду вісмуту з рівномірно розподіленим в об'ємі аморфним діоксидом кремнію. Встановлено, що в отриманому матеріалі, в інтервалі температур від ~ 50 до 180 K реалізується тунельний тип провідності.

Перелік посилань

English version of article