Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation
| Автори | M. Fateh1,2, M. Djalal2, M. Ammar2 |
| Приналежність |
1Department of Telecommunication and Networking, University of Oum El Bouaghi Ain Mlila, Algeria 2Oum Ll Bouaghi University, Cyber-Physical Systems and Biotechnology (CPS & BT), 04000 Oum El Bouaghi, Algeria |
| Е-mail | micro30.sysfateh@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 16 грудня 2023; у відредагованій формі 23 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | M. Fateh, M. Djalal, M. Ammar, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02028 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02028 |
| PACS Number(s) | 80.40.H, 07.05.Hd, 07.05.Tp |
| Ключові слова | Matlab/Simulink, Симуляція Proteus, Модель Spice, Фотоелектричний модуль, Фотоелектрична матриця (2) , Моделювання (77) , MPP, Arduino (3) . |
| Анотація |
У цьому дослідженні використовуються MATLAB/Simulink і Proteus для імітації сонячної фотоелектричної (PV) моделі Jarrett 60 W – 17,2 V. Наші цілі полягають у тому, щоб визначити нелінійні характеристики залежності струму від напруги (I-V) і потужності від напруги (P-V), а потім порівняти результати з даними виробника, використовуючи всі дані, отримані з Matlab/Simulink на Proteus Simulation. Proteus використав модель SPICE для фотоелектричної комірки, яка залежить від математичних рівнянь і пояснюється за допомогою еквівалентної схеми, яка включає джерело струму Iph, діод D, два резистори Rs і Rsh. Proteus використовується для моделювання фотоелектричного модуля/матриці за різних умов, таких як опромінення, температура, послідовний і шунтовий опори, а також ефекти затінення. Щоб досягти найбільшої вихідної потужності, необхідно розуміти розташування точки максимальної потужності (MPP). Використовуючи Arduino, застосовано алгоритм для визначення напруги Vmp і струму Imp фотоелектричних елементів. Стаття дуже корисна для опису основи та характеристик фотоелектричного модуля та масиву простими словами. Це дослідження також може бути застосовано як навчальна методологія для викладання фотоелектричних панелей на різних рівнях навчання, яка демонструє, як використовувати прототипування та програмне забезпечення для моделювання/симуляції за зниженою ціною (Proteus і Matlab/Simulink), щоб мати можливість приблизно досягти формування мети для учнів. Це особливо корисно для шкіл, які відчувають труднощі через брак матеріалів або ресурсів для їх придбання. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
13) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
14) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
15) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
16) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
17) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
18) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
19) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
20) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
21) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
22) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
23) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
24) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
25) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
26) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
27) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
