Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур

Робота містить детальний огляд опублікованих в останні роки результатів досліджень гомоперехідних світлодіодів (СД), вирощених на основі твердого розчину GaP і GaAsP, а також гетероперехідних структур InGaN з квантовими ямами (КЯ).Для виявлення причини нестабільності світіння мікроплазми важливо проаналізувати електричні та спектральні характеристики досліджуваних структур. Метою дослідження було виявлення причини, що призводить до відхилення від типових залежностей I(U) та L(I) та виявлення можливих фізичних факторів, які лежать в основі виникнення аномалій світлодіодного випромінювання.Оригінальна частина базується на порівняльному аналізі експериментальних даних, отриманих при дослідженні електрофізичних і спектральних характеристик обох типів світлодіодів.Також наведено результати дослідження впливу радіаційних дефектів, внесених електронами з E = 2 МеВ, на основні та робочі параметри досліджуваних діодів.Збільшення диференціального опору гомоперехідних світлодіодів GaP і GaAsP за рахунок зниження температури і опромінення зумовлено захопленням носіїв струму глибокими домішковими рівнями, а також рівнями радіаційних дефектів. Значення бар’єрного потенціалу діодів при використовуваних дозах (Fmax = 10¹⁵ см ^– 2 для діодів GaP; Fmax = 2,64 см ^– 2 для діодів GaAsP) практично не змінюється.У гетероструктурних світлодіодах InGaN з квантовими ямами (hν = 505 нм) область НДЦ починається після охолодження до Т ≤ 130 К; його виникнення може бути пов'язане з ефектом резонансного тунелювання носіїв струму.Короткохвильові частини ліній випромінювання світлодіодів GaP, GaAsP і InGaN добре узгоджуються з класичним розподілом Гауса; довгохвильові розтягуються в бік довгохвильових, що зумовлено ефектом хвостів густини станів як у гомо-, так і в гетероперехідних структурах.