Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу
| Автори | І.Г. Орлецький1 , I.Г. Ткачук2,3, З.Д. Ковалюк1 , В.I. Іванов1, A.В. Заслонкін1 |
| Приналежність |
1 Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна 2 Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна 3 Буковинський державний медичний університет, вул. Богомольця, 2, 58000 Чернівці, Україна |
| Е-mail | ivan.tkachuk.1993@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 10 січня 2024; у відредагованій формі 14 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | І.Г. Орлецький, I.Г. Ткачук, З.Д. Ковалюк, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02007 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02007 |
| PACS Number(s) | 73.40. – c, 78.66. – w |
| Ключові слова | Селенід індію (12) , Гематит, Гетероструктури (6) , Спрей-піроліз (13) , Вольт-амперні характеристики (13) , Фоточутливість (7) . |
| Анотація |
Досліджено спосіб виготовлення методом спрей-піролізу при 703 К плівок Fe2O3 на підкладках p-InSe для утворення і вивчення анізотипних гетероперехолів n-Fe2O3/p-InSe. Перевагою даного методу є простота та дешевизна. Він не потребує складного технологічного обладнання чи приміщення високого класу чистоти. Проведено дослідження електричних та фотоелектричних параметрів гетеропереходу. Вивчено вплив температури, наведена закономірність зміни енергетичного бар’єра гетеропереходу при підвищенні температури. На основі аналізу вольт амперних характеристик, встановлено природу струмів, які протікають у гетеропереході. Для пояснення отриманих експериментальних результатів, побудована енергетична діаграма гетеропереходу, яка базується на відомих числових значеннях енергетичних параметрів матеріалів, з яких гетероструктура виготовлена. Експериментальні дані і запропонована енергетична діаграма добре узгоджується між собою. Виміряна та проаналізована спектральна квантова фоточутливість гетеропереходу. Встановлено, що гетеропереходи n-Fe2O3/p-InSe є фоточутливими в діапазоні енергій 1.2÷2.8 еВ. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
8) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
9) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
10) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
11) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
12) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
13) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
14) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
15) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
16) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
17) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
18) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
19) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
