Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP
| Автори | Ali Sadoun |
| Афіліація |
Applied Materials Laboratory, Research Center (CFTE), Sidi Bel Abbès Djillali Liabes University, 22000, Algeria |
| Е-mail | ali.sadoun@dl.univ-sba.dz |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 15 грудня 2023; у відредагованій формі 17 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Цитування | Ali Sadoun, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02001 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02001 |
| PACS Number(s) | 00.11.Al, 00.11.Sa |
| Ключові слова | InP (9) , InN (6) , InSb (2) , Діоди Шотткі (4) , Вольт-амперна характеристика (12) , Вольт-ємнісна характеристика, Iнтерфейс, Щільність станів (3) . |
| Анотація |
У дослідженні було перевірено, як природні шари InN та InSb впливають на вольт-амперні та вольт-ємнісні характеристики діода Шотткі Au/n-InP при температурі 300 К з і без станів розділу, пасток і тунельного струму. Моделювання проводилося за допомогою симулятора пристрою Atlas-Silvaco-Tcad. На основі вольт-амперних характеристик було установлено, що ефективна висота бар’єрів становить 0,474; 0,544 і 0,561 еВ, на основі вольт-ємнісних характеристик – 0,675; 0,817 і 0,800 еВ. Крім того використання високо-низькочастотного методу для розрахунку середньої щільності міжфазних станів, яка була визначена приблизно як 6.03 x 1011 and 3.33 x 1012 см – 2 x eВ – 1. Результати показують, що тонка плівка InN та InSb може ефективно пасивувати поверхню InP, про що свідчить висока продуктивність зразка. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]2) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
3) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
4) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
5) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
6) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
7) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
8) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
9) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
10) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
11) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
12) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
13) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
14) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
15) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
16) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
17) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
18) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
19) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
