Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі
| Автори | C. Kaur1, K.K. Verma1, T. Islam2 , B.T.P. Madhav3, N.G. Praveena4, S. Das5 , G.S. Rao3 |
| Приналежність |
1Dept. of Physics & Electronics, Dr. Rammanohar Lohia Avadh University, Ayodhya, U.P-224001, India 2Department of Electrical and Computer Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204, USA 3Antennas and Liquid Crystals Research Center (ALRC), Department of ECE, Koneru Lakshmaiah Education Foundation, Vaddeswaram, Andhra Pradesh, 522302 India 4Department of ECE, RMK College of Engineering and Technology, Puduvoyal, Chennai-601206, Tamil Nadu, India. 5Department of Electronics and Communication Engineering, IMPS College of Engineering and Technology, Malda-732103, West Bengal, India |
| Е-mail | tislam7@cougarnet.uh.edu |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 15 грудня 2023; у відредагованій формі 17 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | C. Kaur, K.K. Verma, T. Islam, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02029 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02029 |
| PACS Number(s) | 00.11.Al, 00.11.Sa |
| Ключові слова | Друкований патч, Компактна антена (4) , Діапазон виїмок, Дефектна структура землі, Ультраширокий діапазон (2) , Бездротова локальна мережа. |
| Анотація |
У цій роботі розроблено та проаналізовано компактну мікросмужкову мікросмужкову антену еліптичної форми з щілинами еліптичної форми та проаналізовано для сучасних систем бездротового зв’язку. Спочатку компактна модель антени еліптичної форми з дефектною структурою землі призначена для ультраширокого діапазону (UWB) з робочим діапазоном від 3,1 до 10,6 ГГц. Конструкцію було змінено за допомогою четвірного стрілкового слота, що призвело до характеристики смуги з одним вирізом для діапазонів бездротової локальної мережі. Реалізований пік посилення рекомендованої антени становить 5,11 дБі на частоті 3,7 ГГц. Аналіз запропонованої антени був виконаний шляхом оцінки різних геометричних форм. Аналіз розподілу поверхневого струму також представлений для чіткого уявлення про принцип роботи антени. Представлені та обговорені різні параметри характеристик, такі як зворотні втрати, посилення, діаграми спрямованості. Запропонована модель антени, що займає загальний розмір 26 24 1,6 мм3, моделюється, і її результати досліджуються за допомогою інструменту CST. Розроблена антена створена на підкладці FR4 для перевірки вимірювань. Результати моделювання встановленої антени зіставляються з експериментальними даними для перевірки. Результати показують, що запропонована компактна антена добре підходить для високошвидкісного зв’язку на близькій відстані та може ефективно відхиляти сигнали з діапазону WLAN. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
13) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
14) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
15) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
16) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
17) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
18) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
19) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
20) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
21) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
22) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
23) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
24) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
25) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
26) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
27) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
28) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
