Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al
| Автори | Н.М. Білявина1 , В.З. Туркевич2 , Д.А. Стратійчук2 , А.М. Курилюк1 , О.І. Наконечна1 |
| Приналежність |
1Київський національний університет імені Тараса Шевченка, 01601 Київ, Україна 2Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України, 04074 Київ, Україна |
| Е-mail | nbelyavina@ukr.net |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 18 лютого 2024; у відредагованій формі 14 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | Н.М. Білявина, В.З. Туркевич, Д.А. Стратійчук, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02013 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02013 |
| PACS Number(s) | 72.80.Tm, 81.05.Je |
| Ключові слова | Високі тиски (2) , PcBN композит, Нітрид MeN, Рентгенівська дифрактометрія (7) , Кристалічна структура (20) , Міграція азоту (2) . |
| Анотація |
З використанням методу рентгеноструктурного аналізу докладно досліджено кристалічну структуру нітридів MeN, які існують в поверхневих шарах HPHT (high pressure, high temperature) спечених (7,7 ГПа, 1600-2450 С) PcBN композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al складу (об. %) cBN:MeN:Al як 60:35:5. Встановлено, що кристалічна структура кожного нітриду MeN описується в структурній моделі модифікованої структури типу NaCl, яка має для атомів азоту додаткову позицію, часткове заповнення якої веде до накопичення на поверхні зразків певного надлишку азоту, джерелом якого виступають нітриди з глибини композиту. Показано, що в умовах баротермічного впливу суттєву роль в формуванні кристалічних структур нітридів MeN відіграє процес дифузії атомів азоту по дефектам та міжвузлям їх кристалічних граток з внутрішнього об’єму композитів на їх поверхню. Використовуючи в якості опорних величин дані рентгеноструктурних розрахунків, для композитів систем cBN–{TiN, HfN, VN, NbN}–Al визначено основні параметрі цього дифузійного процесу (енергію активації дифузії та константу швидкості). Показано, що енергія активації дифузійного процесу збільшується в ряду HfN → TiN → VN → NbN та корелює з ентальпією утворення кожного з нітридів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
13) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
14) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
15) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
16) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
17) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
18) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
19) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
