Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою
| Автори | Adeyinka David Adewoyin1, 2 , Abidemi Emmanuel Adeniji3, Imoleayo Deborah Adewoyin2, Kayode Felix Ajayi1 |
| Приналежність |
1Physics Unit, Distance Learning Institute, University of Lagos, Akoka, Lagos, Nigeria 2Department of Physics, University of Lagos, Akoka, Yaba, Lagos State, Nigeria 3Department of Physics, Bells University of Technology, Ota, Ogun State, Nigeria |
| Е-mail | dadeyinka@unilag.edu.ng |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 27 січня 2024; у відредагованій формі 18 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | Adeyinka David Adewoyin, Abidemi Emmanuel Adeniji et al., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02012 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02012 |
| PACS Number(s) | 84.60.Jt |
| Ключові слова | CZTGS, Симуляція (3) , Ефективність (28) , Тонка плівка (24) , Фотовольтаїка (2) , Oптимізація. |
| Анотація |
У даній роботі чисельне моделювання та моделювання тонкоплівкових сонячних елементів CZTGS було виконано за допомогою симулятора ємності сонячних елементів (SCAPS-1D). Структура пристрою AZO/CdS/CZTGS/Mo змодельована за допомогою цієї одновимірної програми моделювання. Базова модель пристрою дала ефективність = 9,39 %, коефіцієнт заповнення FF = 63,61 %, напругу холостого ходу Voc = 0,86 В і струм короткого замикання Jsc = 17,39 мА/см2. При процесі оптимізації змінюються товщини шару поглинача, концентрації легування та робоча температура пристрою. Оптимальні значення цих параметрів: товщина шару поглинача 2,0 мкм, концентрація легування 1 . 1016 см – 3 при товщині 2,0 мкм і робоча температура 310 К з роботою виходу матеріалу тильного контакту 5,0 еВ. Такі значення нададуть важливу інформацію та вказівки для розробки високоефективної та перспективної фотоелектричної системи CZTGS. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
13) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
14) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
15) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
16) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
17) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
18) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
19) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
