Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3
| Автори | N.N. Rao1 , P.R. Rao1, B.J.R.S.N. Swamy1, P. Naresh2 , T. Kalpana3, A.C. Babu4, N.Ch.R. Babu5 |
| Афіліація |
1Department of Physics, Krishna University Dr.MRAR College of PG Studies, Nuzvid 521201, AP, India 2Department of Physics, VR Siddharth Engineering College, Vijayawada, 520 008, AP, India 3Department of Physics, Andhra Loyola College, Vijayawada, 520 008, AP, India 4Department of Physics, Krishna University Machilipatnam. 521004 AP, India 5Department of Physics, Rajiv Gandhi University of Knowledge & Technologies Nuzvid, 521201, AP, India |
| Е-mail | nnrphy@gmail.com |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 10 грудня 2023; у відредагованій формі 17 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Цитування | N.N. Rao, P.R. Rao, B.J.R.S.N. Swamy, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02020 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02020 |
| PACS Number(s) | 61.43.Fs, 72.80.Ng, 77.22.Gm |
| Ключові слова | B2O3 стекла, Діелектрична стала, Діелектричні втрати (3) , Mn2+ іони. |
| Анотація |
Зразки скла складу Na2O-B2O3:MnO синтезували методом гартування розплаву. Досліджено діелектричну проникність і діелектричні втрати для зразків як характеристику температури на різних частотах. Інтерпретовано вплив модифікатора легуючого оксиду на досліджувані параметри. Встановлено залежність діелектричної проникності всіх досліджуваних зразків від складу, а також виявлено розвиток дипольної релаксації в досліджуваних стеклах. MnO-вмісні натрієві скла показують зростаючу присутність іонів Mn2+ у склах від C0 до C4, які виконують функцію модифікаторів. Діелектрична проникність скла значно змінюється в залежності від температури, особливо на нижчих частотах.Kлючові слова: B2O3 стекла, Діелектрична стала, Діелектричні втрати, Mn2+ іони. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
13) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
14) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
15) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
16) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
17) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
18) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
19) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
