Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами
| Автори | В.Ф. Онищенко |
| Приналежність |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,пр. Науки, 41, 03028 Київ, Україна |
| Е-mail | onyshchenkovf@isp.kiev.ua |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 04 січня 2024; у відредагованій формі 20 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | В.Ф. Онищенко, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02008 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02008 |
| PACS Number(s) | 78.20. – e |
| Ключові слова | Пропускання (18) , Поглинання (39) , Нонодротини (3) , Двосторонній макропористий кремній (3) . |
| Анотація |
Розраховано спектри пропускання та поглинання двостороннього макропористого кремнію та нанодротин. Враховується пропускання та відбиття меж розділу між монокристалічною підкладкою та шарами макропористого кремнію. Розглянуто поглинання двостороннього макропористого кремнію при освітлені одного або іншого шару макропористого кремнію. Розраховано пропускання бічних меж розділу між двостороннім макропористим кремнієм та повітрям. Пропускання бічних меж двостороннього макропористого кремнію залежить від коефіцієнтів відбиття меж розділу монокристалічної підкладки та шарів макропористого кремнію та об’ємної частки пор. Враховано падіння світла на бічні межі розділу між двостороннім макропористим кремнієм та повітрям під різними кутами та ефект повного внутрішнього відбиття. Розглянуто залежність спектрів пропускання та поглинання двостороннього макропористого кремнію та нанодротин від відбиття та пропускання межі розділу між фронтальним шаром макропористого кремнію та монокристалічною підкладкою та об’ємної частки пор. Показано зростання поглинання та пропускання двостороннього макропористого кремнію зі збільшенням об’ємної частки пор до певної величини та зменшення поглинання та пропускання за рахунок збільшення відбиття межі розділу між фронтального шару макропористого кремнію з монокристалічною підкладкою. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
9) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
10) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
11) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
12) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
13) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
14) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
15) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
16) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
17) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
18) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
19) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
