Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді
| Автори | О.К. Шуаібов , О.Й. Миня, Р.В. Грицак, А.О. Малініна, О.М. Малінін, Р.М. Голомб, А.І. Погодін, З.Т. Гомокі |
| Афіліація |
ДВНЗ «Ужгородський національний університет», Народна пл., 3, 88000 Ужгород, Україна |
| Е-mail | alexsander.shuaibov@uzhnu.edu.ua |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 14 січня 2024; у відредагованій формі 23 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Цитування | О.К. Шуаібов, О.Й. Миня, Р.В. Грицак, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02027 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02027 |
| PACS Number(s) | 52.80. − s, 51.50. + v, 52.80.Tn, 52.90. + z, 52.80.Mg, 79.60.Jv |
| Ключові слова | Наносекундний розряд (4) , Сульфід срібла, Аргон (4) , Тонкі плівки (71) , Спектр випромінювання (5) , Спектри комбінаційного розсіювання (2) , Плазма (20) . |
| Анотація |
У роботі досліджено характеристики наносекундного перенапруженого розряду в аргоні, що виникає між електродами, виготовленими з суперіонного провідника – сульфіду срібла (Ag2S). Розряд ініціювався під тиском аргону в діапазоні від 13,3 до 101 кПа з відстанню між полікристалічними електродами Ag2S 2 мм. Деградація електродного матеріалу в розряді, поряд з проникненням парів Ag2S в міжелектродний простір, відбувалася внаслідок мікровибухів, спричинених нерівностями поверхні електродів. Така конфігурація розряду має потенціал як плазмохімічний реактор для синтезу тонких плівок на основі сульфіду срібла. Крім того, в роботі представлено результати аналізу спектрів комбінаційного розсіяння лазерного випромінювання, що взаємодіє з плівками, синтезованими на основі сполуки Ag2S. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
13) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
14) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
15) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
16) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
17) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
18) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
19) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
20) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
21) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
22) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
23) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
24) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
25) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
26) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
