Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу
| Автори | A. Mahi1, I. Arbaoui2, 3 , A. Tadjeddine4, T. Ghaitaoui5, H. Dahbi5 |
| Афіліація |
1IMA Laboratory, Nour Bachir University Center, El Bayadh, Algeria 2Faculty of Material Sciences, Mathematics, and Computer Science, University Ahmed Draia of Adrar, Algeria 3LESEM Laboratory, Oran1 University, Oran, Algeria 4LSETER Laboratory, Nour Bachir University Center, El Bayadh, Algeria 5Sciences and Technology Faculty, University of Adrar, Algeria |
| Е-mail | ili.arbaoui@univ-adrar.edu.dz |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 21 грудня 2023; у відредагованій формі 14 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Цитування | A. Mahi, I. Arbaoui, A. Tadjeddine, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02022 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02022 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv, 87.50.ux |
| Ключові слова | Терагерцовий сигнал, Транзистор з високою рухливістю електронів, Детектування субміліметрових хвиль, Моделювання напівпровідникових приладів, Плазмові хвилі, Польовий транзистор (15) . |
| Анотація |
Проведено аналітичне моделювання досліджує резонансну поведінку плазмових хвиль у каналі транзисторів з високою рухливістю електронів (HEMT), коли вони піддаються терагерцевому (ТГц) збудженню. Основна мета полягає в систематичному дослідженні впливу різних параметрів HEMT на динаміку плазмового резонансу та виявлення ТГц сигналів. Найефективніше виявлення сигналів ТГц фіксується, коли і затвор, і термінали стоку одночасно отримують збудження ТГц. Крім того, модуляція умов зміщення, зокрема представлена поляризаційними напругами, суттєво впливає на частоти плазмового резонансу, пропонуючи багатообіцяючий шлях для адаптації відповідей HEMT. Подальше дослідження вказує на сильний вплив характеристик області доступу, включаючи довжину та концентрацію легування, на збудження тривимірних плазмових хвиль у HEMT, причому область доступу до стоку демонструє особливе значення. Крім того, детально вивчено розгалуження геометрії затвора, охоплюючи ширину та відстань від каналу до затвора, виявляючи їх здатність суттєво змінювати частоти 2D плазмового резонансу. У екстремальних випадках HEMT демонструє поведінку, подібну до спрощеної конфігурації діода, що призводить до відсутності 2D плазмового резонансу. Дане дослідження розкриває суттєві ідеї для проектування та оптимізації пристроїв на основі HEMT, адаптованих до конкретних додатків частоти ТГц. Це підкреслює ключову роль умов зміщення, властивостей області доступу та геометрії воріт у формуванні продуктивності HEMT і виявлення ТГц сигналу.Kлючові слова: Терагерцовий сигнал, Транзистор з високою рухливістю електронів, Детектування субміліметрових хвиль, Моделювання напівпровідникових приладів, Плазмові хвилі, Польовий транзистор. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
13) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
14) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
15) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
16) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
17) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
18) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
19) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
20) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
21) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
