Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G
| Автори | Indra Surjati1 , Syah Alam1 , Lydia Sari1 , Yuli Kurnia Ningsih1 , Agatha Elishabet1 , Salsanabila Mariestiara Putri1 , Zahriladha Zakaria2 , Teguh Firmansyah3 |
| Афіліація |
1Departement of Electrical Engineering, Universitas Trisakti, West Jakarta, Indonesia 2Faculty of Electronics and Computer Engineering, Universiti Teknikal Malaysia Melaka (UTeM), Hang Tuah Jaya, 76100 Durian Tunggal, Melaka, Malaysia 3Departement of Electrical Engineering, Universitas Sultan Ageng Tirtayasa, Banten, Indonesia |
| Е-mail | syah.alam@trisakti.ac.id |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 03 грудня 2023; у відредагованій формі 14 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Цитування | Indra Surjati, Syah Alam, Lydia Sari, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02009 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02009 |
| PACS Number(s) | 84.40.Ba |
| Ключові слова | Дводіапазонна антена (2) , Круглий патч (2) , Мікросмугова антена (8) , MIMO (18) , 5G (31) . |
| Анотація |
У статті запропонована кругова мікросмугова антена MIMO (CPMA), яка працює на резонансних частотах 3,5 ГГц і 6 ГГц для систем зв’язку 5G. Вона розроблена з використанням підкладки RO-5880 з діелектричною проникністю 2,2, товщиною 1,58 мм та діелектричними втратами 0,0009. Двохсмугова характеристика досягається шляхом розміщення щілини в центрі CPMA, тоді як вставний фідер використовується для контролю коефіцієнта відбиття. Крім того, зменшення взаємного зчеплення досягається шляхом керування відстанню між антенами, якщо вони налаштовані в MIMO. Виходячи з результатів моделювання, запропонована антена забезпечує відмінні характеристики з коефіцієнтом відбиття ≤ – 10 дБ і взаємним зв’язком (MC) ≤ – 20 дБ на резонансних частотах 3,5 ГГц і 6 ГГц. Дане дослідження може бути рекомендоване як приймальна антена для системи зв’язку 5G. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
10) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
11) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
12) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
13) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
14) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
15) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
16) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
17) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
18) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
19) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
20) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
21) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
22) Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO [02023-1-02023-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
