Oксидування поверхні n-GaAs: морфологічний та кінетичний аналіз
| Автори | Я.О. Сичікова , С.С. Ковачов, Ф.С. Лазаренко, І.О. Бардус, К. Тиховод, О.І. Гуренко, І.Т. Богданов |
| Афіліація |
Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта 4, Бердянськ, Україна |
| Е-mail | yanasuchikova@gmail.com |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 3 |
| Дати | Одержано 15 квітня 2022; у відредагованій формі 22 червня 2022; опубліковано online 30 червня 2022 |
| Цитування | Я.О. Сичікова, С.С. Ковачов, Ф.С. Лазаренко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 3, 03033 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(3).03033 |
| PACS Number(s) | 61.46.Bc |
| Ключові слова | GaAs (22) , Оксидування, Фладе-потенціал, Цільність, Щкруглість, Механізм Странського-Крастанова, Ме-ханізм пошарового-плюс-острівкового зростання. |
| Анотація |
Ми досліджуємо процеси направленого оксидування поверхні n-GaAs, які відбуваються в результаті електрохімічної обробки напівпровідника в водно-спиртовому розчині соляної кислоти. Аналіз вольт-амперних характеристик проведено з метою дослідження кінетики процесу, це дало змогу встановити етапи утворення оксидної плівки та острівців. Морфологія поверхні оцінена за характеристиками площі, лінійних розмірів, цільності (Solidity) та округлості (Round) острівців. Показано, що оксидування відбувається за механізмом Странського-Крастанова. Дослідження формування власних оксидів на поверхні GaAs є вкрай важливим, адже, оксиди можуть істотно впливати на властивості матеріалу. Власні оксиди напівпровідників є пасивуючою плівкою, яка надійно захищає поверхню від дії навколишнього середовища та при взаємодії з агресивними речовинами. Крім того, власні оксиди GaAs проявляють напівпровідникові властивості, що дозволяє створювати гетероструктури оксид/ GaAs з гетеропереходами для оптоелектронних застосувань. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Дослідження ефективності перовскітного сонячного елементу на основі безсвинцевого змішаного галогеніду Cs2TiI6 – xBrx (x = 1 до 5) [03001-1-03001-5]2) Якість поверхневих вод притоків, що протікають через два райони, Хошимін, В'єтнам [03002-1-03002-5]
3) Зворотні діоди для підвищення ефективності сонячної панелі для певного модуля [03003-1-03003-4]
4) Продуктивність мембран Nata de Bamboo та Nata de Chayote як сепараторів цинк-вуглецевих акумуляторів [03004-1-03004-5]
5) Наночастинки оксидів перехідних металів для виробництва біопалива [03005-1-03005-4]
6) Проект малошумного підсилювача з поточною архітектурою повторного використання та методом попереднього спотворення для наноелектронних датчиків, які працюють на частоті 2,4 ГГц [03006-1-03006-5]
7) Дослідження характеристик радіоканалу в терагерцовому діапазоні [03007-1-03007-5]
8) Кількісне співвідношення між константою Гамакера та кутом контакту з водою із співвідношенням sp2/sp3 та вмістом водню у тонкій плівці гідрогенізованого алмазоподібного вуглецю [03008-1-03008-5]
9) Модифікований одностінними вуглецевими нанотрубками (SWCNTs), Ketjen Black (KB) і наночастинками золота (AuNPs) скловуглецевий електрод для високоселективного визначення дофаміну [03009-1-03009-5]
10) Електрохімічна реакція аскорбінової кислоти за допомогою вугільного електрода з трафаретним друком [03010-1-03010-4]
11) Система стеження за викраденими автомобілями на основі електронного блоку керування [03011-1-03011-5]
12) Оптимізація матеріалу транспортного шару дірок для ефективного сонячного елемента на основі безсвинцевого подвійного перовскіту Cs2AgBiBr6 за допомогою чисельного моделювання [03012-1-03012-4]
13) Аналіз та проектування надширокосмугового некогерентного трансивера для UWB імпульсного радіозв'язку в терагерцовому діапазоні [03013-1-03013-5]
14) Обчислювальне моделювання поверхнево-модифікованої вуглецевої нанотрубки для низькотемпературного паливного елементу [03014-1-03014-4]
15) Чисельний аналіз експлуатаційних характеристик різних матеріалів ETL для перовскітних сонячних елементів на основі одногалогенідного цезію-титану (IV) [03015-1-03015-5]
16) Дослідження розподілених генерацій для пом'якшення падіння напруги за допомогою незбалансованого потоку навантаження [03016-1-03016-5]
17) Внесок наноматеріалів у розвиток технології сонячних елементів: огляд [03017-1-03017-5]
18) Недорогий сенсорний вузол для моніторингу тріщин у вихідних трубах з використанням неруйнівного контролю для переробної промисловості [03018-1-03018-5]
19) Проектування та аналіз безперехідного пристрою VTFET для сенсорних додатків [03019-1-03019-5]
20) Конструкція підсилювача з низьким рівнем шуму CMOS Cascode Low Noise Amplifier (CCLNA) для наносенсорних додатків [03020-1-03020-5]
21) Селективний електрохімічний датчик з використанням вугільного електрода з трафаретним друком (SPCE) для виявлення дофаміну в нейтральному стані [03021-1-03021-5]
22) Сонячна сушарка змішаного режиму на основі системи акумулювання прихованого тепла для сушіння міробалану [03022-1-03022-5]
23) Чотирипортова дводіапазонна MIMO-антена у формі квітки 29/39 ГГц міліметрової хвилі для додатків 5G [03023-1-03023-5]
24) Сенсори вуглекислого газу на основі вуглецевих нанотрубок з каталізатором і без нього [03024-1-03024-4]
25) Електронні властивості α-Al2O3 [03025-1-03025-4]
26) Густина заряду та густина станів (DOS) моноклінного ZrO2 з використанням функціоналу Meta-GGA DFT [03026-1-03026-4]
27) Синтез, характеристика та оцінка наночастинок δ-Al2O3, отриманих хімічним методом зі зміною pH [03027-1-03027-4]
28) Нова теорія високого порядку для аналізу температури жолоблення функціонально градуйованих сендвіч-пластин, що спираються на пружну основу [03028-1-03028-8]
29) Промисловий Інтернет речей (IIoT) для оцінки пожежного ризику на основі електронного датчика [03029-1-03029-5]
30) Залежність магнітних властивостей нанокристалів ZnO:Mn від умов синтезу [03030-1-03030-5]
31) Вплив механічних та геометричних характеристик на термічне жолоблення функціонально градуйованих сендвіч пластин [03031-1-03031-6]
32) Дифракція Е-поляризованих фотонів на нескінченній ґратці металевих стрічок [03032-1-03032-5]
