Oксидування поверхні n-GaAs: морфологічний та кінетичний аналіз

Автори Я.О. Сичікова , С.С. Ковачов, Ф.С. Лазаренко, І.О. Бардус, К. Тиховод, О.І. Гуренко, І.Т. Богданов
Приналежність

Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта 4, Бердянськ, Україна

Е-mail yanasuchikova@gmail.com
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 3
Дати Одержано 15 квітня 2022; у відредагованій формі 22 червня 2022; опубліковано online 30 червня 2022
Посилання Я.О. Сичікова, С.С. Ковачов, Ф.С. Лазаренко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 3, 03033 (2022)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.14(3).03033
PACS Number(s) 61.46.Bc
Ключові слова GaAs (19) , Оксидування, Фладе-потенціал, Цільність, Щкруглість, Механізм Странського-Крастанова, Ме-ханізм пошарового-плюс-острівкового зростання.
Анотація

Ми досліджуємо процеси направленого оксидування поверхні n-GaAs, які відбуваються в результаті електрохімічної обробки напівпровідника в водно-спиртовому розчині соляної кислоти. Аналіз вольт-амперних характеристик проведено з метою дослідження кінетики процесу, це дало змогу встановити етапи утворення оксидної плівки та острівців. Морфологія поверхні оцінена за характеристиками площі, лінійних розмірів, цільності (Solidity) та округлості (Round) острівців. Показано, що оксидування відбувається за механізмом Странського-Крастанова. Дослідження формування власних оксидів на поверхні GaAs є вкрай важливим, адже, оксиди можуть істотно впливати на властивості матеріалу. Власні оксиди напівпровідників є пасивуючою плівкою, яка надійно захищає поверхню від дії навколишнього середовища та при взаємодії з агресивними речовинами. Крім того, власні оксиди GaAs проявляють напівпровідникові властивості, що дозволяє створювати гетероструктури оксид/ GaAs з гетеропереходами для оптоелектронних застосувань.

Перелік посилань