Селективний електрохімічний датчик з використанням вугільного електрода з трафаретним друком (SPCE) для виявлення дофаміну в нейтральному стані
| Автори | L.M. Permatasari , K.A. Madurani , F. Kurniawan |
| Приналежність |
Laboratory of Instrumentation and Analytical Sciences, Chemistry Department, Faculty of Science and Data Analytics, Institut Teknologi Sepuluh Nopember (ITS), 60111 Surabaya, Indonesia |
| Е-mail | fredy@chem.its.ac.id |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 3 |
| Дати | Одержано 15 березня 2022; у відредагованій формі 24 червня 2022; опубліковано online 30 червня 2022 |
| Посилання | L.M. Permatasari, K.A. Madurani, F. Kurniawan, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 3, 03021 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(3).03021 |
| PACS Number(s) | 82.47.Rs |
| Ключові слова | Дофамін (DA), SPCE (2) , Вольтамперометрія (6) , Нейтральний стан. |
| Анотація |
Селективний електрохімічний датчик для виявлення дофаміну (DA) досліджено за допомогою вугільного електрода з трафаретним друком (SPCE). Ефективність SPCE була охарактеризована за допомогою циклічної вольтамперометрії при pH 7,0 в 0,1 М фосфатному буферному розчині. Вимірювання проводили в діапазоні потенціалів від − 7,5 до 1 В при кімнатній температурі. Спостерігали вплив концентрації DA та швидкості сканування. Результат показав, що DA можна виявити спеціально, дивлячись на його піковий сигнал відновлення при потенціалі – 0,11 В, = − 52.13 мкA. Сигнал DA контролювали без будь-яких інтерференційних сигналів від аскорбінової кислоти, глюкози, сечової кислоти, парацетамолу та сечовини. Отримана калібрувальна крива, яка представляє різні концентрації DA як функцію пікового струму, відповідала лінійному рівнянню з R2 = 0.992 та з R2 = 0.985. Межі виявлення та чутливості SPCE для детектування DA становили відповідно 0,030 мкМ та 8,107 мкАмм – 2мкМ – 1. Вплив швидкості сканування продемонстрував поведінку, контрольовану дифузією, з реакції між SPCE та DA. Дослідження відтворюваності SPCE показало збільшення значення пікового струму. Це пов'язано з «отруєнням» DA, що призводить до меншої точності повторних вимірювань. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Дослідження ефективності перовскітного сонячного елементу на основі безсвинцевого змішаного галогеніду Cs2TiI6 – xBrx (x = 1 до 5) [03001-1-03001-5]2) Якість поверхневих вод притоків, що протікають через два райони, Хошимін, В'єтнам [03002-1-03002-5]
3) Зворотні діоди для підвищення ефективності сонячної панелі для певного модуля [03003-1-03003-4]
4) Продуктивність мембран Nata de Bamboo та Nata de Chayote як сепараторів цинк-вуглецевих акумуляторів [03004-1-03004-5]
5) Наночастинки оксидів перехідних металів для виробництва біопалива [03005-1-03005-4]
6) Проект малошумного підсилювача з поточною архітектурою повторного використання та методом попереднього спотворення для наноелектронних датчиків, які працюють на частоті 2,4 ГГц [03006-1-03006-5]
7) Дослідження характеристик радіоканалу в терагерцовому діапазоні [03007-1-03007-5]
8) Кількісне співвідношення між константою Гамакера та кутом контакту з водою із співвідношенням sp2/sp3 та вмістом водню у тонкій плівці гідрогенізованого алмазоподібного вуглецю [03008-1-03008-5]
9) Модифікований одностінними вуглецевими нанотрубками (SWCNTs), Ketjen Black (KB) і наночастинками золота (AuNPs) скловуглецевий електрод для високоселективного визначення дофаміну [03009-1-03009-5]
10) Електрохімічна реакція аскорбінової кислоти за допомогою вугільного електрода з трафаретним друком [03010-1-03010-4]
11) Система стеження за викраденими автомобілями на основі електронного блоку керування [03011-1-03011-5]
12) Оптимізація матеріалу транспортного шару дірок для ефективного сонячного елемента на основі безсвинцевого подвійного перовскіту Cs2AgBiBr6 за допомогою чисельного моделювання [03012-1-03012-4]
13) Аналіз та проектування надширокосмугового некогерентного трансивера для UWB імпульсного радіозв'язку в терагерцовому діапазоні [03013-1-03013-5]
14) Обчислювальне моделювання поверхнево-модифікованої вуглецевої нанотрубки для низькотемпературного паливного елементу [03014-1-03014-4]
15) Чисельний аналіз експлуатаційних характеристик різних матеріалів ETL для перовскітних сонячних елементів на основі одногалогенідного цезію-титану (IV) [03015-1-03015-5]
16) Дослідження розподілених генерацій для пом'якшення падіння напруги за допомогою незбалансованого потоку навантаження [03016-1-03016-5]
17) Внесок наноматеріалів у розвиток технології сонячних елементів: огляд [03017-1-03017-5]
18) Недорогий сенсорний вузол для моніторингу тріщин у вихідних трубах з використанням неруйнівного контролю для переробної промисловості [03018-1-03018-5]
19) Проектування та аналіз безперехідного пристрою VTFET для сенсорних додатків [03019-1-03019-5]
20) Конструкція підсилювача з низьким рівнем шуму CMOS Cascode Low Noise Amplifier (CCLNA) для наносенсорних додатків [03020-1-03020-5]
21) Сонячна сушарка змішаного режиму на основі системи акумулювання прихованого тепла для сушіння міробалану [03022-1-03022-5]
22) Чотирипортова дводіапазонна MIMO-антена у формі квітки 29/39 ГГц міліметрової хвилі для додатків 5G [03023-1-03023-5]
23) Сенсори вуглекислого газу на основі вуглецевих нанотрубок з каталізатором і без нього [03024-1-03024-4]
24) Електронні властивості α-Al2O3 [03025-1-03025-4]
25) Густина заряду та густина станів (DOS) моноклінного ZrO2 з використанням функціоналу Meta-GGA DFT [03026-1-03026-4]
26) Синтез, характеристика та оцінка наночастинок δ-Al2O3, отриманих хімічним методом зі зміною pH [03027-1-03027-4]
27) Нова теорія високого порядку для аналізу температури жолоблення функціонально градуйованих сендвіч-пластин, що спираються на пружну основу [03028-1-03028-8]
28) Промисловий Інтернет речей (IIoT) для оцінки пожежного ризику на основі електронного датчика [03029-1-03029-5]
29) Залежність магнітних властивостей нанокристалів ZnO:Mn від умов синтезу [03030-1-03030-5]
30) Вплив механічних та геометричних характеристик на термічне жолоблення функціонально градуйованих сендвіч пластин [03031-1-03031-6]
31) Дифракція Е-поляризованих фотонів на нескінченній ґратці металевих стрічок [03032-1-03032-5]
32) Oксидування поверхні n-GaAs: морфологічний та кінетичний аналіз [03033-1-03033-7]
