Автори | M.B. Belonenko1,2 , N.N. Konobeeva1 |
Афіліація | 1 Volgograd State University, 400062 Volgograd, Russia 2 Laboratory of Nanotechnology, Volgograd Institute of Business, 400048 Volgograd, Russia |
Е-mail | belonenko@volsu.ru, yana_nn@volsu.ru |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Дати | Одержано 18.06.2016, у відредагованій формі - 22.11.2016, опубліковано online - 29.11.2016 |
Цитування | M.B. Belonenko, N.N. Konobeeva, J. Nano- Electron. Phys. 8 No 4(1), 04029 (2016) |
DOI | 10.21272/jnep.8(4(1)).04029 |
PACS Number(s) | 73.20. At, 73.22.Pr |
Ключові слова | Tunneling current, Deep impurity, Semiholographic approach. |
Анотація | In this paper, we investigated the influence of deep impurity in graphene on the tunneling current in the contact with a metal. A ballistic current in graphene was calculated. The dependence of current-voltage characteristic of the contact on transition energy between the impurity and the graphene was analyzed. |
Перелік посилань |