Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y 0,1)
| Автори | П. Фочук1, Є. Никонюк2, З. Захарук1, С. Дремлюженко1, C. Солодін1, О. Копач1, А. Опанасюк3 |
| Афіліація | 1 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. М. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна 2 Національний університет водного господарства та природокористування, вул. Соборна, 11, 33000 Рівне, Україна 3 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
| Дати | Одержано 27.05.2016, у відредагованій формі - 22.11.2016, опубліковано online - 29.11.2016 |
| Цитування | П. Фочук, Є. Никонюк, З. Захарук, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 4(1), 04011 (2016) |
| DOI | 10.21272/jnep.8(4(1)).04011 |
| PACS Number(s) | 72.20. – i, 72.80.Ey |
| Ключові слова | Тверді розчини Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe, Монокристали (8) , Метод Бріджмена (3) , Електрофізичні властивості (8) . |
| Анотація | Проведено аналіз температурної залежності (Т 80360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe та Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1), вирощених вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1 – xZnxTe провідність контролюється як акцепторами А1( 0,030,05 еВ), так і акцепторами А2(≈ 0,12 еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1 – yMnyTe і Cd1 – x – yZnxMnyTe лише акцепторами А2, при цьому залежність εА2(y) описується рівнянням: εА2 0,12 (1 + 5,5y), еВ. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Спектр поперечних акустичних фононів у плоских багатошарових напівпровідникових наноструктурах [04001-1-04001-5]2) Сонохімічний синтез частинок діоксиду кремнію із карбіду кремнію у водному розчині [04002-1-04002-4]
3) Modeling of Schottky Barrier Height and Volt-Amper Characteristics for Transition Metal-solid Solution (SіC)1 – x(AlN)x [04003-1-04003-4]
4) CH3NH3PBI3 IV Output Parameters Degradation Investigation [04004-1-04004-4]
5) Механо-електричні характеристики приповерхневих шарів деяких матеріалів [04005-1-04005-7]
6) Морфологічні та електрохімічні властивості вуглецевих електродних матеріалів, отриманих на основі лактози [04006-1-04006-7]
7) П’єзоелектричні плівкові хвилеводи поверхневих акустичних хвиль [04007-1-04007-7]
8) Вплив процесів міжатомної взаємодії на механічні властивості карбідних покриттів на основі Ti,V і Cr, отриманих шляхом дифузійної металізації [04008-1-04008-6]
9) Вплив шорсткості поверхні на осциляції енергії Фермі металевих наноплівок [04009-1-04009-4]
10) Схожість і відмінність фазового перетворення ГЦК – ОЦК в кальції і стронції [04010-1-04010-6]
11) Частотні характеристики електричних полів циліндричних п’єзокерамічних випромінювачів у складі плоскої системи [04012-1-04012-6]
12) Експрес метод аналізу морфологічних параметрів графенових покриттів на мідній підкладці [04013-1-04013-5]
13) Динаміка квантової частинки у збуреному двовимірному параболічному потенціалі [04014-1-04014-6]
14) Особливості властивостей наногібридів GaSe(InSe)
15) Адсорбція та каталітичне окиснення метану сенсорами на основі оксиду індію, легованого платиною [04016-1-04016-5]
16) Generation of Al Nanoparticles via Laser Ablation in Deionized Water with Structural and Morphological Study [04017-1-04017-2]
17) Частотні властивості електричних полів циліндричної системи п’єзокерамічних випромінювачів з екраном у внутрішній полості [04018-1-04018-6]
18) Формування наноструктурного покриття на основі матриці аморфного вуглецю і кристалів срібла [04019-1-04019-6]
19) Generation of Nanometer Wavelength Acoustic Waves [04020-1-04020-3]
20) Modelling of Random Textured Tandem Silicon Solar Cells Characteristics: Decision Tree Approach [04021-1-04021-4]
21) Effect of High-k Oxide on Double Gate Transistor Embedded in RF Colpitts Oscillator [04022-1-04022-7]
22) Вплив тиску азотної атмосфери при осадженні вакуумно-дугових многоперіодних покриттів (Ti, Si)N/MoN на їх структуру та властивості [04023-1-04023-5]
23) Features Self-Cobalt Gas-sensitive Film of Polyacrylonitrile [04024-1-04024-7]
24) Synthesis and Nanoscale Characterization of LiNbO3 Thin Films Deposited on Al2O3 Substrate by RF Magnetron Sputtering under Electric Field [04025-1-04025-4]
25) A New Relativistic Study for Interactions in One-electron atoms (Spin ½ Particles) with Modified Mie-type Potential [04027-1-04027-9]
26) Physical Properties of Film Alloys Based on Ferromagnetic and Noble Metals (review). ІІ. Film Materials Based on Co and Ag or Au [04028-1-04028-7]
27) Semiholographic Approach in Calculation of Tunneling Current in Graphene with Deep Impurities [04029-1-04029-3]
28) Investigating the Temperature Effects on ZnO, TiO2, WO3 and HfO2 Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices [04030-1-04030-4]
29) Дослідження термічної деструкції природних карбонатів кальцію методом температурно-програмованої мас-спектрометрії [04031-1-04031-3]
30) Флуоресцентні властивості комплексів похідні кумарину/квантові точки СdTe при взаємодії з молекулами аміаку в мікроконцентраціях [04032-1-04032-5]
31) Linear Positive Magnetoresistivity of the Bi1.9Lu0.1Te3 Alloy with Inhomogeneous Micrograined Structure [04033-1-04033-4]
32) Молекулярний транзистор на основі замісників дифенілу [04034-1-04034-5]
33) Optical and Structural Characterization of Pin Photodetector Based on Germanium Nanocrystals for Third Generation Solar Cells [04035-1-04035-5]
34) Низькотемпературний мінімум електричного опору Bi1.9Lu0.1Te3 [04036-1-04036-4]
35) Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor [04037-1-04037-4]
36) Dye Sensitized Solar Cells Based on Hydrazonoyl Synthetic Dyes [04038-1-04038-9]
37) Dimensioning and Modeling of a Circular Inductor Integrated in a Boost Converter [04039-1-04039-5]
38) Вплив органомодифікованого лапоніту на перколяційну поведінку систем на основі поліетиленгліколю та вуглецевих нанотрубок [04040-1-04040-6]
39) Дисперсійні властивості поверхневих поляритонів у мета матеріалі ферит/напівпровідник у магнітному полі [04041-1-04041-11]
40) A Two Dimensional Surface Potential Model for Triple Material Double Gate Junctionless Field Effect Transistor [04042-1-04042-5]
41) Piezoelectric Properties of Barium Titanate Langmuir Films [04043-1-04043-2]
42) Technology of Creation Periodic Structure on Surface Crystal of Paratellurite [04044-1-04044-3]
43) Thickness Calculation of Thin Transparent Conductive Membrane on the Border with a Magnetic Fluid [04045-1-04045-3]
44) Nanostructured Lead Compounds in Electrode Materials of a Lead-Acid Battery [04046-1-04046-3]
45) Influence of Brownian Diffusion on Volume Magnetic Force in Magnetic Fluids [04047-1-04047-4]
46) X-ray Diffraction Analysis of the Chromium-containing Electroerosion Powders of Micro - and Nanoparticles [04048-1-04048-2]
47) Investigation of Nanostructured Thermoelectric Material Si0.8Ge0.2P0.022 for Application in Multisectional Legs of Thermoelectric Elements [04049-1-04049-3]
48) Електронні та позитронні стани у шаруватих наноструктурах «метал – діелектрик» [04050-1-04050-9]
49) 3D наноструктурний пористий шар аміачної селітри: вплив способу зволоження на структуру шару [04051-1-04051-5]
50) A DFT Study on Electronic and Structural Properties of Graphene Nanoribbons [04052-1-04052-4]
51) Structural and Optical Properties of Mg Doped ZnO Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering [04053-1-04053-4]
52) Boron Monolayer χ3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole [04054-1-04054-3]
53) Investigation of the Phase Composition of Samples Sintered from Tungsten-containing Composite Micro - and Nanopowders [04055-1-04055-3]
54) AC-field Induced Gap Opening in the Vicinity of Extra Dirac Points in Band Structure of Graphene Superlattice [04057-1-04057-4]
55) An Investigation of High Performance Heterojunction Silicon Solar Cell Based on n-type Si Substrate [04058-1-04058-8]
56) Structural, Optical and Electrical Properties of NiO Nanostructure Thin Film [04059-1-04059-4]
57) New Computer System for Recognizing Micro- and Nano-Sized Objects in Semiconductors and Colloidal Solutions [04060-1-04060-9]
58) CNTFET-Based Design of a High-Efficient Full Adder Using XOR Logic [04061-1-04061-6]
59) Prediction of Betavoltaic Battery Output Parameters Based on SEM Measurements [04062-1-04062-3]
60) Quantum Mechanical Analysis of GaN Nanowire Transistor for High Voltage Applications [04063-1-04063-6]
61) Вплив ультразвуку на енергетичний спектр електрона та дірки у гетеросистемі InAs/GaAs з квантовими точками InAs [04064-1-04064-4]
62) Optical Properties of GaSe Intercalated by Potassium Hydroxide [04065-1-04065-4]
63) Синтез, структура та діелектричні властивості магній-заміщеного літієвого фериту [04066-1-04066-7]
64) Investigation of Nanostructure Phase Composition and Field Emission Properties in the Ge/Si (100) System [04067-1-04067-4]
65) Енергія зв’язку деформаційного електронного полярона в квантовій точці InAs/GaAs [04068-1-04068-5]
66) Вплив температури на діелектричні властивості фериту СоFe2O4 [04069-1-04069-7]
67) Діелектрична функція металевих 1D-систем [04070-1-04070-5]
68) Сонячні батареї створенні на основі низько-розмірних нанокомпозитних структур [04071-1-04071-10]
69) Мономерний коефіцієнт тертя металонанодисперсних полімерних систем [04072-1-04072-6]
70) Межі стабільності рідкої фази у шаруватих плівкових системах Mo/Pb/Mo, Mo/Bi/Mo і Mo/In/Mo [04073-1-04073-6]
71) Electrochemical Properties of Nanocomposite Nanoporous Carbon / Nickel Hydroxide [04074-1-04074-5]
72) Microstures of CdC2O4.3H2O Single Crystal Grown in Silica Gel [04075-1-04075-4]
73) A new Nonrelativistic Investigation for Interactions in One-electron Atoms with Modified Vibrational-Rotational Analysis of Supersingular plus Quadratic Potential: Extended Quantum Mechanics [04076-1-04076-9]
74) Room Temperature Ferromagnetism in Cr Doped ZnSe Powders Prepared by Solid State Reaction [04077-1-04077-4]
75) Photoelectrical and Gas-sensing Properties of Nanostructured ZnO/CuO Samples [04078-1-04078-4]
76) Influence of Surfactants on the Activity Powders of Barium Hexaferrite, Prepared by Wet Grinding [04079-1-04079-3]
77) Effect of Uniform Decoration of Ag2S Nanoparticles on Physical Properties of Granular TiO2 Thin Films Synthesized by Using Spin Coating Technique [04080-1-04080-5]
78) Вимірювання індукції магнітного поля із застосуванням ефекту Зеєманав ядерному квадрупольному резонансі сполук GaSe та InSe [04081-1-04081-4]
79) Анізотропія структури та властивостей міцності жароміцного композиту Cu-Cr-Zr, що індуковано рівноканальним кутовим пресуванням [04082-1-04082-6]
80) Термодинамічні умови отримання 3D наноструктурованого пористого поверхневого шару на гранулах аміачної селітри [04083-1-04083-5]
81) Можливість застосування топографічного розгляду до границь зерен в нанокремнієвих плівках [04084-1-04084-4]
82) Enhanced Sensitivity of Surface Plasmon Resonance Sensor Based on Bilayers of Silver-Barium Titanate [04085-1-04085-5]
83) Прецесія ферромагнітної наночастинки зі скінченною анізотропією у в’язкій рідині [04086-1-04086-5]
84) Односпрямований транспорт феромагнітних частинок у в’язкій рідині,породжений силою Магнуса [04087-1-04087-6]
85) Metamaterials: Theory, Classification and Application Strategies (Review) [04088-1-04088-11]
86) Digital Piezomaterial Based on Piezoceramic-Polymer Composite for Ultrasonic Transducers [04089-1-04089-3]
87) Cтруктурні властивості апатит-біополімерних нанокомпозитів, легованих ZnO [04090-1-04090-6]
