Автори | А.П. Саміла1 , Г.І. Ластівка1 , В.О. Хандожко1,2 |
Афіліація | 1 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58000 Чернівці, Україна 2 Телерадіокомпанія «НБМ», вул. Електриків, 26, 04176 Київ, Україна |
Е-mail | andriysamila@gmail.com |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Дати | Одержано 12.09.2016, опубліковано online - 23.12.2016 |
Цитування | А.П. Саміла, Г.І. Ластівка, В.О. Хандожко, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 4(2), 04081 (2016) |
DOI | 10.21272/jnep.8(4(2)).04081 |
PACS Number(s) | 07.55.Ge, 76.60.Gv, 71.70.Ej |
Ключові слова | Ефект Зеємана, Магнітна індукція (2) , Ядерний квадрупольний резонанс (2) , Шаруваті напівпровідники (2) . |
Анотація | Використовуючи імпульсний метод ЯКР з швидким перетворенням Фур'є сигналів спаду спінової індукції, досліджено вплив зовнішнього слабкого магнітного поля (0 ÷ 10 Гс) на спектральні лінії ЯКР 69Ga та 115In в шаруватих напівпровідникових сполуках GaSe та InSe. Встановлено, що розщеплення резонансних ліній в результаті ефекту Зеємана може бути використано для визначення напрямку дії та оцінки величини індукції прикладеного магнітного поля. |
Перелік посилань |