Автори | E.V. Boroznina , O.A. Davletova , I.V. Zaporotskova |
Афіліація | Volgograd State University, 100, Universitetskij prosp., 400062 Volgograd, Russia |
Е-mail | extrajenya@bk.ru |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Дати | Одержано 17.07.2016, у відредагованій формі - 24.11.2016, опубліковано online - 30.11.2016 |
Цитування | E.V. Boroznina, O.A. Davletova, I.V. Zaporotskova, J. Nano- Electron. Phys. 8 No 4(2), 04054 (2016) |
DOI | 10.21272/jnep.8(4(2)).04054 |
PACS Number(s) | 61.72.jd, 75.70.Ak |
Ключові слова | Boron monolayer, Pinhole, Vacancy formation, Theoretical research. |
Анотація | This research is focused on a local vacancy defect formation and pinholes formation in a two-dimensional boron structure – boron monolayer 3 - type. The main characteristics of defects formation have been carried out by using the semi-empirical quantum-chemical scheme MNDO. The variants of atomic configurations which give pinholes defect have been found. |
Перелік посилань |