Дослідження процесів швидкого перемикання в структурах на основі телуриду кадмію
| Автори | М.В. Кіріченко , A.М. Дроздов, Д.С. Шкода, Р.В. Зайцев , Г.С. Хрипунов , К.O. Мінакова, В.O. Нікітін |
| Приналежність |
Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова 2, 61002 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Дати | Одержано 14 червня 2022; у відредагованій формі 22 серпня 2022; опубліковано online 25 серпня 2022 |
| Посилання | М.В. Кіріченко, A.М. Дроздов та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 4, 04031 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04031 |
| PACS Number(s) | 84.60. − h, 61.43.Bn |
| Ключові слова | Планарна технологія, Геометрія (4) , Імпульс (29) . |
| Анотація |
Однією з головних вимог до сучасного радіоелектронного обладнання є питання електромагнітної стійкості, що означає здатність підтримувати робочі параметри під час і після дії імпульсного електромагнітного випромінювання різного походження. Проблема забезпечення електромагнітної стійкості пов'язана з тим, що під впливом ЕМ-імпульсів у ланцюгах виникають імпульси перенапруги, що призводять до руйнування напівпровідникових приладів внаслідок як властивостей p-n переходу, так і питомої теплопровідності напівпровідникових матеріалів. У той же час ефекти резистивного перемикання активно використовуються в сучасній електроніці, зокрема, робота мемристорів заснована на резистивному перемиканні в оксидах перехідних металів. Цей ефект резистивного перемикання вже давно спостерігається в CdTe, як на товстих (понад 100 мкм) монокристалічних шарах, так і в тонких полікристалічних плівках. Новизна запропонованої роботи полягає в тому, що процеси перемикання між станами з низькою і високою провідністю в плівках CdTe залежать від різних факторів, таких як товщина плівки, її початкова структура, потужність імпульсу перемикання, властивості контакту. Тонкоплівкові структури на основі CdTe були виготовлені методами вакуумного осадження. Вивчення процесів швидкого перемикання в виготовлених структурах Mo – телурид кадмію – Mo проводилося шляхом вимірювання та подальшої аналітичної обробки їх амплітудно-часових характеристик під дією електромагнітних імпульсів наносекундної тривалості. Встановлено, що прототипи з діаметром металізації 0,5 мм і 6 мм, виготовлені за планарною технологією, мають подібні параметри: час перемикання на рівні 1-2 нс, близькі значення напруги відсікання та хід її залежності від амплітуди імпульсу. Геометрія контактної металізації не впливає на параметри перемикання конструкцій, а при виготовленні елементів захисту від електромагнітних імпульсів на їх основі можна використовувати промислову технологію формування металізації без необхідності її надмірної мініатюризації. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Синтез і характеристики наночастинок фериту Mg-Cd (Mg0.5Cd0.5Nd0.01Fe1.99O4), легованого Nd3+, отриманого у формі товстої плівки для датчиків газу [04001-1-04001-4]2) Структурні, оптичні та магнітні властивості нанокристалічних тонких плівок Cd1 – xMnxS при кімнатній температурі [04002-1-04002-5]
3) Магнітні властивості сполук Co0.1Sb2Te3, Ni0.1Bi2Te3 та Ni0.2In4Se3 [04003-1-04003-3]
4) Деякі фізичні параметри халькогенідів кальцію при високих тисках: напівемпіричний підхід [04004-1-04004-4]
5) Аналітична модель ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором [04005-1-04005-5]
6) Перехідне тривимірне термомеханічне моделювання фрикційного контакту системи Pin-on-Disc [04006-1-04006-5]
7) Евристичне моделювання можливостей НБІТ: когнітивні аспекти [04007-1-04007-5]
8) Структура та властивості електроактивних композитів на основі олігомерів різної молекулярної маси, допованих сіллю перхлорату літію [04008-1-04008-5]
9) Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом [04009-1-04009-4]
10) Оптичні характеристики колоїдних квантових точок AgInS2, синтезованих з водних розчинів [04010-1-04010-6]
11) Вивчення структурних, магнітних та оптичних властивостей кластерів PtAun (n = 1-9) з використанням теорії функціоналу густини [04011-1-04011-5]
12) Визначення оптимальних режимів електронно-променевої мікрообробки поверхонь оптичних елементів [04012-1-04012-7]
13) Приготування об'ємного гетеропереходу перовскіт : фулерен з використанням схеми мікроемульсії без поверхнево-активної речовини. Моделювання, симуляція та експериментальні дослідження [04013-1-04013-5]
14) Обробка нелінійних електричних кіл за допомогою похідної Капуто-Фабріціо [04014-1-04014-5]
15) Утворення дислокацій при легуванні фосфором в технології кремнієвих p-i-n фотодіо-дів та їх вплив на темнові струми [04015-1-04015-6]
16) Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe [04016-1-04016-5]
17) Оптична діагностика нанокристалів CdSe1 – xTex, вирощених у боросилікатному склі [04017-1-04017-6]
18) Кінетика розподілу надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [04018-1-04018-5]
19) Вплив відпалу на фізичні властивості хімічно виготовлених плівок Cu2 – xSe [04019-1-04019-4]
20) Еволюція магнітного порядку в нанокристалічному сплаві Fe1 – xAlx [04020-1-04020-4]
21) Концентраційні ефекти в електронних властивостях високоентропійних плівкових сплавів [04021-1-04021-4]
22) Дослідження сплавів Fe1 – xAlx, подрібнених у кульовому млині, за допомогою TEM та XPS [04022-1-04022-4]
23) Вплив ізовалентного заміщення катіонів Bi на катіони La на термодинамічні властивості та кристалічну структуру нанокомпозитів на основі BiFeO3 [04023-1-04023-5]
24) Напівемпіричні плазмонні коефіцієнти металів для наноплазмоніки [04024-1-04024-3]
25) Вплив різних концентрацій телуру на структурні та оптичні властивості наноструктурованих плівок ZnO, нанесених золь-гель методом [04025-1-04025-4]
26) Розподіл атомів молібдену в глибині поверхневого шару монокристалу ніобію, отриманого іонним бомбардуванням [04026-1-04026-3]
27) Основні характеристики напівпровідників антимоніду арсеніду галію та індію (GaxIn1 – xAsySb1 – y) за допомогою MATLAB [04027-1-04027-4]
28) Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB [04028-1-04028-4]
29) Мікросмужкова антена з розширенням смуги пропускання та круговою поляризацією з використанням L-слоту та стопкою прямокутних паразитних елементів [04029-1-04029-5]
30) Двовісна модель теплового балансу сонячного колектора [04030-1-04030-4]
31) Чисельні дослідження теплового керування кількома електронними пристроями з використанням радіаторів із металевої піни [04032-1-04032-5]
32) Дослідження морфології поверхні під час вирощування наночастинок в гібридних плівках за допомогою методу впливу газу [04033-1-04033-4]
33) Термоелектричні охолоджувачі з фрикційними паровими гальмами [04034-1-04034-4]
