Мікросмужкова антена з розширенням смуги пропускання та круговою поляризацією з використанням L-слоту та стопкою прямокутних паразитних елементів
| Автори | Syah Alam1 , Indra Surjati1 , Lydia Sari1 , Yuli Kurnia Ningsih1 , Dian Widi Astuti2, Teguh Firmansyah2, Zahriladha Zakaria3, Noor Azwan Shairi4 |
| Приналежність |
1Department of Electrical Engineering, Universitas Trisakti, West Jakarta, Indonesia 2Department of Telecommunication Engineering, Universitas Mercubuana, West Jakarta, Indonesia 3Department of Electrical Engineering, Universitas Sultan Ageng Tirtayasa, Banten, Indonesia 4Faculty of Electronics and Computer Engineering, Universiti Teknikal Malaysia Melaka (UTeM), Hang Tuah Jaya, 76100 Durian Tunggal, Melaka, Malaysia |
| Е-mail | indra@trisakti.ac.id |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Дати | Одержано 09 червня 2022; у відредагованій формі 26 серпня 2022; опубліковано online 30 серпня 2022 |
| Посилання | Syah Alam, Indra Surjati, Lydia Sari, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 4, 04029 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04029 |
| PACS Number(s) | 41.20.Jb, 84.40.Ba |
| Ключові слова | Мікросмужковий (3) , Складені в стопку, Пропускна здатність (6) , Паразитні елементи, Бездротовий зв'язок (3) . |
| Анотація |
У роботі запропоновано мікросмужкову антену з L-слотом, оптимізовану за допомогою паразитних елементів. Додавання паразитних елементів спрямоване на розширення смуги пропускання запропонованої антени. Паразитні елементи додавалися з використанням двох типів підкладки FR-4, які були складені в стопку. Випромінювальний елемент розташовувався в нижньому шарі, а паразитний – у верхньому. Для отримання оптимальної пропускної здатності було запропоновано три моделі з різними формами паразитних елементів. Найкращі результати показала модель 1 з імпедансною смугою пропускання 1,3 ГГц (2,17-3,47 ГГц) або 52 %. Крім того, запропонована конструкція антени також створювала кругову поляризацію з осьовим співвідношенням ≤ 3 дБ і максимальним підсиленням 6,76 дБ. Запропонована конструкція антени може бути рекомендована і придатна для використання як приймальна антена в системі бездротового зв'язку. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Синтез і характеристики наночастинок фериту Mg-Cd (Mg0.5Cd0.5Nd0.01Fe1.99O4), легованого Nd3+, отриманого у формі товстої плівки для датчиків газу [04001-1-04001-4]2) Структурні, оптичні та магнітні властивості нанокристалічних тонких плівок Cd1 – xMnxS при кімнатній температурі [04002-1-04002-5]
3) Магнітні властивості сполук Co0.1Sb2Te3, Ni0.1Bi2Te3 та Ni0.2In4Se3 [04003-1-04003-3]
4) Деякі фізичні параметри халькогенідів кальцію при високих тисках: напівемпіричний підхід [04004-1-04004-4]
5) Аналітична модель ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором [04005-1-04005-5]
6) Перехідне тривимірне термомеханічне моделювання фрикційного контакту системи Pin-on-Disc [04006-1-04006-5]
7) Евристичне моделювання можливостей НБІТ: когнітивні аспекти [04007-1-04007-5]
8) Структура та властивості електроактивних композитів на основі олігомерів різної молекулярної маси, допованих сіллю перхлорату літію [04008-1-04008-5]
9) Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом [04009-1-04009-4]
10) Оптичні характеристики колоїдних квантових точок AgInS2, синтезованих з водних розчинів [04010-1-04010-6]
11) Вивчення структурних, магнітних та оптичних властивостей кластерів PtAun (n = 1-9) з використанням теорії функціоналу густини [04011-1-04011-5]
12) Визначення оптимальних режимів електронно-променевої мікрообробки поверхонь оптичних елементів [04012-1-04012-7]
13) Приготування об'ємного гетеропереходу перовскіт : фулерен з використанням схеми мікроемульсії без поверхнево-активної речовини. Моделювання, симуляція та експериментальні дослідження [04013-1-04013-5]
14) Обробка нелінійних електричних кіл за допомогою похідної Капуто-Фабріціо [04014-1-04014-5]
15) Утворення дислокацій при легуванні фосфором в технології кремнієвих p-i-n фотодіо-дів та їх вплив на темнові струми [04015-1-04015-6]
16) Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe [04016-1-04016-5]
17) Оптична діагностика нанокристалів CdSe1 – xTex, вирощених у боросилікатному склі [04017-1-04017-6]
18) Кінетика розподілу надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [04018-1-04018-5]
19) Вплив відпалу на фізичні властивості хімічно виготовлених плівок Cu2 – xSe [04019-1-04019-4]
20) Еволюція магнітного порядку в нанокристалічному сплаві Fe1 – xAlx [04020-1-04020-4]
21) Концентраційні ефекти в електронних властивостях високоентропійних плівкових сплавів [04021-1-04021-4]
22) Дослідження сплавів Fe1 – xAlx, подрібнених у кульовому млині, за допомогою TEM та XPS [04022-1-04022-4]
23) Вплив ізовалентного заміщення катіонів Bi на катіони La на термодинамічні властивості та кристалічну структуру нанокомпозитів на основі BiFeO3 [04023-1-04023-5]
24) Напівемпіричні плазмонні коефіцієнти металів для наноплазмоніки [04024-1-04024-3]
25) Вплив різних концентрацій телуру на структурні та оптичні властивості наноструктурованих плівок ZnO, нанесених золь-гель методом [04025-1-04025-4]
26) Розподіл атомів молібдену в глибині поверхневого шару монокристалу ніобію, отриманого іонним бомбардуванням [04026-1-04026-3]
27) Основні характеристики напівпровідників антимоніду арсеніду галію та індію (GaxIn1 – xAsySb1 – y) за допомогою MATLAB [04027-1-04027-4]
28) Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB [04028-1-04028-4]
29) Двовісна модель теплового балансу сонячного колектора [04030-1-04030-4]
30) Дослідження процесів швидкого перемикання в структурах на основі телуриду кадмію [04031-1-04031-4]
31) Чисельні дослідження теплового керування кількома електронними пристроями з використанням радіаторів із металевої піни [04032-1-04032-5]
32) Дослідження морфології поверхні під час вирощування наночастинок в гібридних плівках за допомогою методу впливу газу [04033-1-04033-4]
33) Термоелектричні охолоджувачі з фрикційними паровими гальмами [04034-1-04034-4]
