Деякі фізичні параметри халькогенідів кальцію при високих тисках: напівемпіричний підхід
| Автори | Fouad Okba1, Rabie Mezouar2 |
| Приналежність |
1Architecture Department, Institute of Architecture and Earth Sciences, Ferhat Abbas Setif 1 University, 19000 Setif, Algeria 2Laboratory of Materials and Electronic Systems, Faculty of Sciences and Technology, Bordj Bou Arreridj University, 34000 Bordj Bou Arreridj, Algeria |
| Е-mail | fouad.okba@univ-setif.dz |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Дати | Одержано 23 травня 2022; у відредагованій формі 18 серпня 2022; опубліковано online 25 серпня 2022 |
| Посилання | Fouad Okba, Rabie Mezouar, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 4, 04004 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04004 |
| PACS Number(s) | 65.40. – b, 62.50. – p, 64.30.Jk |
| Ключові слова | Халькогеніди кальцію, Параметр Грюнайзена (4) , Високий тиск, EOS (3) . |
| Анотація |
Базуючись на експериментальних рівняннях стану, наведених у літературі, у роботі ми відтворили зміну об’єму елементарної комірки залежно від тиску фазового переходу для халькогенідних напівпровідникових матеріалів CaX (X = S, Se, Te) на основі кальцію. Ми також досліджували вплив високого тиску на густину кристалів, ізотермічний модуль об’ємної деформації, похідну першого порядку за тиском від ізотермічного модуля об’ємної деформації та параметр Грюнайзена для бінарних сполук CaX (X = S, Se, Te). Було виявлено, що зі збільшенням тиску густина кристала та ізотермічний модуль об’ємної деформації збільшуються, тоді як похідна першого порядку за тиском від модуля об’ємної деформації та параметр Грюнайзена поступово зменшуються для всіх досліджуваних матеріалів. Подібна поведінка всіх цих параметрів залежно від тиску описана в літературі для кількох матеріалів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Синтез і характеристики наночастинок фериту Mg-Cd (Mg0.5Cd0.5Nd0.01Fe1.99O4), легованого Nd3+, отриманого у формі товстої плівки для датчиків газу [04001-1-04001-4]2) Структурні, оптичні та магнітні властивості нанокристалічних тонких плівок Cd1 – xMnxS при кімнатній температурі [04002-1-04002-5]
3) Магнітні властивості сполук Co0.1Sb2Te3, Ni0.1Bi2Te3 та Ni0.2In4Se3 [04003-1-04003-3]
4) Аналітична модель ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором [04005-1-04005-5]
5) Перехідне тривимірне термомеханічне моделювання фрикційного контакту системи Pin-on-Disc [04006-1-04006-5]
6) Евристичне моделювання можливостей НБІТ: когнітивні аспекти [04007-1-04007-5]
7) Структура та властивості електроактивних композитів на основі олігомерів різної молекулярної маси, допованих сіллю перхлорату літію [04008-1-04008-5]
8) Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом [04009-1-04009-4]
9) Оптичні характеристики колоїдних квантових точок AgInS2, синтезованих з водних розчинів [04010-1-04010-6]
10) Вивчення структурних, магнітних та оптичних властивостей кластерів PtAun (n = 1-9) з використанням теорії функціоналу густини [04011-1-04011-5]
11) Визначення оптимальних режимів електронно-променевої мікрообробки поверхонь оптичних елементів [04012-1-04012-7]
12) Приготування об'ємного гетеропереходу перовскіт : фулерен з використанням схеми мікроемульсії без поверхнево-активної речовини. Моделювання, симуляція та експериментальні дослідження [04013-1-04013-5]
13) Обробка нелінійних електричних кіл за допомогою похідної Капуто-Фабріціо [04014-1-04014-5]
14) Утворення дислокацій при легуванні фосфором в технології кремнієвих p-i-n фотодіо-дів та їх вплив на темнові струми [04015-1-04015-6]
15) Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe [04016-1-04016-5]
16) Оптична діагностика нанокристалів CdSe1 – xTex, вирощених у боросилікатному склі [04017-1-04017-6]
17) Кінетика розподілу надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [04018-1-04018-5]
18) Вплив відпалу на фізичні властивості хімічно виготовлених плівок Cu2 – xSe [04019-1-04019-4]
19) Еволюція магнітного порядку в нанокристалічному сплаві Fe1 – xAlx [04020-1-04020-4]
20) Концентраційні ефекти в електронних властивостях високоентропійних плівкових сплавів [04021-1-04021-4]
21) Дослідження сплавів Fe1 – xAlx, подрібнених у кульовому млині, за допомогою TEM та XPS [04022-1-04022-4]
22) Вплив ізовалентного заміщення катіонів Bi на катіони La на термодинамічні властивості та кристалічну структуру нанокомпозитів на основі BiFeO3 [04023-1-04023-5]
23) Напівемпіричні плазмонні коефіцієнти металів для наноплазмоніки [04024-1-04024-3]
24) Вплив різних концентрацій телуру на структурні та оптичні властивості наноструктурованих плівок ZnO, нанесених золь-гель методом [04025-1-04025-4]
25) Розподіл атомів молібдену в глибині поверхневого шару монокристалу ніобію, отриманого іонним бомбардуванням [04026-1-04026-3]
26) Основні характеристики напівпровідників антимоніду арсеніду галію та індію (GaxIn1 – xAsySb1 – y) за допомогою MATLAB [04027-1-04027-4]
27) Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB [04028-1-04028-4]
28) Мікросмужкова антена з розширенням смуги пропускання та круговою поляризацією з використанням L-слоту та стопкою прямокутних паразитних елементів [04029-1-04029-5]
29) Двовісна модель теплового балансу сонячного колектора [04030-1-04030-4]
30) Дослідження процесів швидкого перемикання в структурах на основі телуриду кадмію [04031-1-04031-4]
31) Чисельні дослідження теплового керування кількома електронними пристроями з використанням радіаторів із металевої піни [04032-1-04032-5]
32) Дослідження морфології поверхні під час вирощування наночастинок в гібридних плівках за допомогою методу впливу газу [04033-1-04033-4]
33) Термоелектричні охолоджувачі з фрикційними паровими гальмами [04034-1-04034-4]
