Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB
| Автори | Abdelkrim Mostefai1,2 |
| Афіліація |
1Department of Electronics, Faculty of Electrical Engineering, University of Sidi Bel Abbes, Algeria 2Department of Electronics, Faculty of Technology, University of Saida, Algeria |
| Е-mail | mostakrimo@yahoo.fr |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Дати | Одержано 17 червня 2022; у відредагованій формі 11 серпня 2022; опубліковано online 25 серпня 2022 |
| Цитування | Abdelkrim Mostefai, Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 4, 04028 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04028 |
| PACS Number(s) | 71.20.Mq, 71.20.Nr |
| Ключові слова | Кремній (Si), Арсенід галію (GaAs), Енергетичні зони (9) , Кристалічні структури, Напівпровідник (52) , MATLAB (8) , Енергетична заборонена зона Eg. |
| Анотація |
Основою роботи компонентів сучасної електроніки – діодів, транзисторів, тощо – є можливість ке-рування електропровідністю напівпровідників шляхом легування, тобто введенням домішок у матері-ал. На основі напівпровідників з різними концентраціями домішок можна сформувати контакт для ке-рування напрямком і кількістю струму, що протікає через вузол. Ця властивість є основою роботи компонентів сучасної електроніки: діодів, транзисторів тощо. Деякими прикладами напівпровідників є кремній (Si), германій (Ge) і арсенід галію (GaAs). Ці речовини близькі до ізоляторів (власних напівп-ровідників), але додавання невеликої кількості легуючої домішки призводить до сильного падіння електричного опору, перетворюючи їх на провідники. Залежно від типу легуючої домішки можна виго-товити напівпровідник n-типу або p-типу. Кремній є критично важливим елементом для виготовлення більшості електронних схем. Кремній (Si) є чистим кристалічним напівпровідниковим матеріалом; це добре відомий і найбільш використовуваний матеріал. Після кремнію (Si) арсенід галію (GaAs) є дру-гим за поширеністю напівпровідником, який використовується в лазерних діодах, сонячних елементах, мікрохвильових мікросхемах та інших. У статті представлено порівняння між шириною забороненої зони Eg як функції температури T, шириною забороненої зони Eg як функції густини легування та вла-сної густини носіїв ni кремнію (Si) і арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Синтез і характеристики наночастинок фериту Mg-Cd (Mg0.5Cd0.5Nd0.01Fe1.99O4), легованого Nd3+, отриманого у формі товстої плівки для датчиків газу [04001-1-04001-4]2) Структурні, оптичні та магнітні властивості нанокристалічних тонких плівок Cd1 – xMnxS при кімнатній температурі [04002-1-04002-5]
3) Магнітні властивості сполук Co0.1Sb2Te3, Ni0.1Bi2Te3 та Ni0.2In4Se3 [04003-1-04003-3]
4) Деякі фізичні параметри халькогенідів кальцію при високих тисках: напівемпіричний підхід [04004-1-04004-4]
5) Аналітична модель ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором [04005-1-04005-5]
6) Перехідне тривимірне термомеханічне моделювання фрикційного контакту системи Pin-on-Disc [04006-1-04006-5]
7) Евристичне моделювання можливостей НБІТ: когнітивні аспекти [04007-1-04007-5]
8) Структура та властивості електроактивних композитів на основі олігомерів різної молекулярної маси, допованих сіллю перхлорату літію [04008-1-04008-5]
9) Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом [04009-1-04009-4]
10) Оптичні характеристики колоїдних квантових точок AgInS2, синтезованих з водних розчинів [04010-1-04010-6]
11) Вивчення структурних, магнітних та оптичних властивостей кластерів PtAun (n = 1-9) з використанням теорії функціоналу густини [04011-1-04011-5]
12) Визначення оптимальних режимів електронно-променевої мікрообробки поверхонь оптичних елементів [04012-1-04012-7]
13) Приготування об'ємного гетеропереходу перовскіт : фулерен з використанням схеми мікроемульсії без поверхнево-активної речовини. Моделювання, симуляція та експериментальні дослідження [04013-1-04013-5]
14) Обробка нелінійних електричних кіл за допомогою похідної Капуто-Фабріціо [04014-1-04014-5]
15) Утворення дислокацій при легуванні фосфором в технології кремнієвих p-i-n фотодіо-дів та їх вплив на темнові струми [04015-1-04015-6]
16) Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe [04016-1-04016-5]
17) Оптична діагностика нанокристалів CdSe1 – xTex, вирощених у боросилікатному склі [04017-1-04017-6]
18) Кінетика розподілу надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [04018-1-04018-5]
19) Вплив відпалу на фізичні властивості хімічно виготовлених плівок Cu2 – xSe [04019-1-04019-4]
20) Еволюція магнітного порядку в нанокристалічному сплаві Fe1 – xAlx [04020-1-04020-4]
21) Концентраційні ефекти в електронних властивостях високоентропійних плівкових сплавів [04021-1-04021-4]
22) Дослідження сплавів Fe1 – xAlx, подрібнених у кульовому млині, за допомогою TEM та XPS [04022-1-04022-4]
23) Вплив ізовалентного заміщення катіонів Bi на катіони La на термодинамічні властивості та кристалічну структуру нанокомпозитів на основі BiFeO3 [04023-1-04023-5]
24) Напівемпіричні плазмонні коефіцієнти металів для наноплазмоніки [04024-1-04024-3]
25) Вплив різних концентрацій телуру на структурні та оптичні властивості наноструктурованих плівок ZnO, нанесених золь-гель методом [04025-1-04025-4]
26) Розподіл атомів молібдену в глибині поверхневого шару монокристалу ніобію, отриманого іонним бомбардуванням [04026-1-04026-3]
27) Основні характеристики напівпровідників антимоніду арсеніду галію та індію (GaxIn1 – xAsySb1 – y) за допомогою MATLAB [04027-1-04027-4]
28) Мікросмужкова антена з розширенням смуги пропускання та круговою поляризацією з використанням L-слоту та стопкою прямокутних паразитних елементів [04029-1-04029-5]
29) Двовісна модель теплового балансу сонячного колектора [04030-1-04030-4]
30) Дослідження процесів швидкого перемикання в структурах на основі телуриду кадмію [04031-1-04031-4]
31) Чисельні дослідження теплового керування кількома електронними пристроями з використанням радіаторів із металевої піни [04032-1-04032-5]
32) Дослідження морфології поверхні під час вирощування наночастинок в гібридних плівках за допомогою методу впливу газу [04033-1-04033-4]
33) Термоелектричні охолоджувачі з фрикційними паровими гальмами [04034-1-04034-4]
