Визначення оптимальних режимів електронно-променевої мікрообробки поверхонь оптичних елементів
| Автори | І.В. Яценко1 , В.С. Антонюк2 , В.А. Ващенко1 , В.І. Гордієнко1 , С.О. Колінько1 , Т.І. Бутенко1 |
| Приналежність |
1Черкаський державний технологічний університет, бул. Шевченка, 460, 18030 Черкаси, Україна 2Національний технічний університет України «КПІ імені Ігоря Сікорського», просп. Перемоги, 37, 03056 Київ, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 4 |
| Дати | Received 25 May 2022; revised manuscript received 10 August 2022; published online 25 August 2022 |
| Посилання | І.В. Яценко, В.С. Антонюк, В.А. Ващенко та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 14 № 4, 04012 (2022) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04012 |
| PACS Number(s) | 42.79.Bh |
| Ключові слова | Електронний промінь стрічкового типу, Елементи з оптичного скла та оптичної кераміки, Температурні поля у оптичних елементах, Оптико-електронне приладобудування (3) . |
| Анотація |
Як показала практика, найбільш зручним, екологічно чистим та легкокерованим способом обробки оптичних елементів є електронно-променевий метод. Однак широке використання електронно-променевої технології у оптико-електронному приладобудуванні стримується відсутністю методів ви-значення оптимальних режимів електронно-променевої мікрообробки оптичних елементів, що явля-ють собою сукупність керованих параметрів електронного променю (струм електронного потоку Ib = 50…300 мА, прискорююча напруга Vу = 4…8 кВ, відстань до оброблюваної поверхні l = 6х10 – 2- 8х10 – 2 м, швидкість переміщення променю V = 5х10 – 2-5х10 – 3 м/с, час теплового впливу t = 0,3…1,0 с), пе-ревищення яких призводить до цілого ряду небажаних явищ, які погіршують якість оброблюваних по-верхонь. Розроблено математичні моделі процесу нагріву елементів з оптичного скла та кераміки різ-ної геометричної форми та розмірів (тонкоплівкові елементи, тонкі пластини великих розмірів) рухо-мим стрічковим електронним променем, що дозволяють розрахувати вплив його параметрів на темпе-ратурні поля у оброблюваних елементах. Встановлено, що збільшення параметрів Iп та Vу у вказаних діапазонах призводить до зростання максимальної температури поверхні оптичних елементів більше, ніж у 2 рази, а зменшення параметрів l та V – менше, ніж у 1,5 рази. Визначено оптимальні значення параметрів електронного променю, перевищення яких призводить до появи тріщин та відколів у по-верхневих шарах елементів, порушення їх геометричної форми та погіршення метрологічних характе-ристик приладів аж до їх відказів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Синтез і характеристики наночастинок фериту Mg-Cd (Mg0.5Cd0.5Nd0.01Fe1.99O4), легованого Nd3+, отриманого у формі товстої плівки для датчиків газу [04001-1-04001-4]2) Структурні, оптичні та магнітні властивості нанокристалічних тонких плівок Cd1 – xMnxS при кімнатній температурі [04002-1-04002-5]
3) Магнітні властивості сполук Co0.1Sb2Te3, Ni0.1Bi2Te3 та Ni0.2In4Se3 [04003-1-04003-3]
4) Деякі фізичні параметри халькогенідів кальцію при високих тисках: напівемпіричний підхід [04004-1-04004-4]
5) Аналітична модель ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором [04005-1-04005-5]
6) Перехідне тривимірне термомеханічне моделювання фрикційного контакту системи Pin-on-Disc [04006-1-04006-5]
7) Евристичне моделювання можливостей НБІТ: когнітивні аспекти [04007-1-04007-5]
8) Структура та властивості електроактивних композитів на основі олігомерів різної молекулярної маси, допованих сіллю перхлорату літію [04008-1-04008-5]
9) Дослідження гетеродіелектричного заглибленого оксиду та TFETs з гетеропереходом із подвійним матеріалом [04009-1-04009-4]
10) Оптичні характеристики колоїдних квантових точок AgInS2, синтезованих з водних розчинів [04010-1-04010-6]
11) Вивчення структурних, магнітних та оптичних властивостей кластерів PtAun (n = 1-9) з використанням теорії функціоналу густини [04011-1-04011-5]
12) Приготування об'ємного гетеропереходу перовскіт : фулерен з використанням схеми мікроемульсії без поверхнево-активної речовини. Моделювання, симуляція та експериментальні дослідження [04013-1-04013-5]
13) Обробка нелінійних електричних кіл за допомогою похідної Капуто-Фабріціо [04014-1-04014-5]
14) Утворення дислокацій при легуванні фосфором в технології кремнієвих p-i-n фотодіо-дів та їх вплив на темнові струми [04015-1-04015-6]
15) Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe [04016-1-04016-5]
16) Оптична діагностика нанокристалів CdSe1 – xTex, вирощених у боросилікатному склі [04017-1-04017-6]
17) Кінетика розподілу надлишкових носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з різною товщиною пористих шарів [04018-1-04018-5]
18) Вплив відпалу на фізичні властивості хімічно виготовлених плівок Cu2 – xSe [04019-1-04019-4]
19) Еволюція магнітного порядку в нанокристалічному сплаві Fe1 – xAlx [04020-1-04020-4]
20) Концентраційні ефекти в електронних властивостях високоентропійних плівкових сплавів [04021-1-04021-4]
21) Дослідження сплавів Fe1 – xAlx, подрібнених у кульовому млині, за допомогою TEM та XPS [04022-1-04022-4]
22) Вплив ізовалентного заміщення катіонів Bi на катіони La на термодинамічні властивості та кристалічну структуру нанокомпозитів на основі BiFeO3 [04023-1-04023-5]
23) Напівемпіричні плазмонні коефіцієнти металів для наноплазмоніки [04024-1-04024-3]
24) Вплив різних концентрацій телуру на структурні та оптичні властивості наноструктурованих плівок ZnO, нанесених золь-гель методом [04025-1-04025-4]
25) Розподіл атомів молібдену в глибині поверхневого шару монокристалу ніобію, отриманого іонним бомбардуванням [04026-1-04026-3]
26) Основні характеристики напівпровідників антимоніду арсеніду галію та індію (GaxIn1 – xAsySb1 – y) за допомогою MATLAB [04027-1-04027-4]
27) Порівняння кремнію (Si) та арсеніду галію (GaAs) за допомогою MATLAB [04028-1-04028-4]
28) Мікросмужкова антена з розширенням смуги пропускання та круговою поляризацією з використанням L-слоту та стопкою прямокутних паразитних елементів [04029-1-04029-5]
29) Двовісна модель теплового балансу сонячного колектора [04030-1-04030-4]
30) Дослідження процесів швидкого перемикання в структурах на основі телуриду кадмію [04031-1-04031-4]
31) Чисельні дослідження теплового керування кількома електронними пристроями з використанням радіаторів із металевої піни [04032-1-04032-5]
32) Дослідження морфології поверхні під час вирощування наночастинок в гібридних плівках за допомогою методу впливу газу [04033-1-04033-4]
33) Термоелектричні охолоджувачі з фрикційними паровими гальмами [04034-1-04034-4]
