Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію
| Автори | О.А. Гончаров1, А.М. Юнда1, В.В. Буранич1, І.В. Шелест1, В.Б. Лобода2 |
| Афіліація |
1Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна 2Сумський національний аграрний університет, вул. Герасима Кондратьєва, 160, 40021 Суми, Україна |
| Е-mail | o.goncharov@mss.sumdu.edu.ua |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
| Дати | Одержано 19.03.2018; опубліковано online 25.06.2018 |
| Цитування | О.А. Гончаров, А.М. Юнда, В.В. Буранич, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 3, 03002 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03002 |
| PACS Number(s) | 68.35. – p, 68.55.A –, 68.60.Bs, 81.07.Bc, 81.15.Cd |
| Ключові слова | Магнетронне розпилення (15) , Диборид гафнiя, Потенціал зміщення (8) , Структура (228) , Іонний струм. |
| Анотація |
Досліджено вплив енергетичного фактора на формування структури нанокристалічних плівок дибориду гафнію. Показано, що при магнетронному розпиленні, зміна густини енергії Ebi, що постачається зростаючій плівці бомбардуючими іонами, за рахунок зміни потенціалу зміщення Us, та щільності іонного струму js, призводить до формування плівок дибориду гафнію різного структурного стану від нанокластерного до нанокристалічного із текстурою зростання нормаллю до площини (0.01) та розміром нанокристалітів від 2,3 до 20 нм відповідно. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method [03001-1-03001-6]2) Структура, міцнісні та електропровідні властивості вакуумних конденсатів Cu-Ta [03003-1-03003-4]
3) Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS [03004-1-03004-6]
4) Single Crystal, High Band Gap CdS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering in Argon Atmosphere for Solar Cell Applications [03005-1-03005-6]
5) Optical Analytical Studies of Electrostatic-Sprayed Eu-doped Cadmium Selenide Nanofilms at Different Temperatures [03006-1-03006-5]
6) Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів-кових фотоелектричних перетворювачів [03007-1-03007-7]
7) Моделювання процесів формування методом молекулярної динаміки та люмінесцентні властивості наноструктур Zn-ZnO типу ядро-оболонка [03008-1-03008-5]
8) Структурна інженерія переважної орієнтації росту кристалітів в бішарових багатоперіодних вакуумно-дугових нітридних покриттях [03009-1-03009-5]
9) Synthesis of Copper Nanoparticles by Cathode Sputtering in Radio-frequency Plasma [03010-1-03010-4]
10) Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen [03011-1-03011-6]
11) Modelling the Initial Stages of Condensation of As-S Atomic Clusters [03012-1-03012-9]
12) Месбауерівські дослідження Ni-заміщених феритів кобальту [03013-1-03013-5]
13) Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [03014-1-03014-4]
14) Фазовий і хімічний склад дифузійних титаноалюмохромових покриттів на основі сплаву ХН55ВМТКЮ [03015-1-03015-4]
15) Ефекти гігантського і анізотропного магнітоопору: демонстрація і вивчення в курсі фізики закладів вищої освіти [03016-1-03016-8]
16) Синтез та ріст наноструктур Au на інтерфейсі MoS2 [03017-1-03017-6]
17) Computer Simulation of Electrical Characteristics of a Graphene Cluster with Stone-Wales Defects [03018-1-03018-7]
18) Дальнодіюча взаємодія між pb-центрами та молекулами NO2, адсорбованими на поверхні кремнію [03019-1-03019-7]
19) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs–Bogoliubov Method [03020-1-03020-4]
20) Коефіцієнт прозорості та квазістаціонарні стани електрона у симетричній двобар’єрній наносистемі з просторово-залежними потенціалом і ефективною масою [03021-1-03021-5]
21) Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [03022-1-03022-6]
22) Роль зарядового стану молекули і зовнішнього електричного поляу функціонуванні молекулярних перемикачів на основі спіропірана [03023-1-03023-5]
23) Структурно-фазовий стан та електропровідність плівкових структур на основі фази Fe-Со та Cu [03024-1-03024-6]
24) Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії [03025-1-03025-5]
25) Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [03026-1-03026-6]
26) Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів [03027-1-03027-8]
27) Дослідження впливу складу залишкових газів на твердість, адгезійні властивості і елементний склад покриттів SiC-AlN, нанесених методом магнетронного розпилення [03028-1-03028-5]
28) Ультрадисперсний β-FeOOH: вплив умов синтезу на морфологічні, магнітні та електро-хімічні властивості [03029-1-03029-6]
29) Багатоступеневе досушування гранул пористої N4HNO3 як фактор підвищення якості нанопористої структури [03030-1-03030-5]
30) Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids [03031-1-03031-5]
31) Effect of Heat Treatments on the Mechanical Properties of a Form Tool [03032-1-03032-3]
32) Розрахунок квазічастинкових енергій електронів і спектра екситонів в області краю фу-ндаментального поглинання в кристалі перовскиту KMgF3 [03033-1-03033-3]
