Структурно-фазовий стан та електропровідність плівкових структур на основі фази Fe-Со та Cu
| Автори | Д.І. Салтиков , Ю.О. Шкурдода , І.Ю. Проценко |
| Афіліація |
Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
| Дати | Отримано 12.05.2018, у відредагованій формі – 24.05.2018; опубліковано online 25.06.2018 |
| Цитування | Д.І. Салтиков, Ю.О. Шкурдода, І.Ю. Проценко, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 3, 03024 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03024 |
| PACS Number(s) | 68.35.bj, 68.60.Bs, 75.47.De |
| Ключові слова | Структурно-фазовий стан (5) , Дифузія (34) , Питомий опір (16) , Поетапне відпалювання (2) , Електрон-фононна взаємодія (3) . |
| Анотація |
Отримано58,увідредагованій і258і268Проведено дослідження структури, фазового складу та електропровідності тонких плівок сплавів FeхСо1х (х≅ 0,2) та тришарових систем на їх основі з прошарком міді. Показано, що фазовий склад свіжосконденсованих плівок відповідає ОЦК– FeхСо1–х + ГЩП-Со, а після відпалювання за 700К фіксується лише ОЦК– FeхСо1–х. У тришарових плівках FeхСо1–х/Cu/FeхСо1–х з dF 20-40 нм та dN 5-20 нм фазовий склад відповідає евтектиці ОЦК– FeхСо1–х + ГЦК т.р. Cu (Fe або Co) незалежно від умов термообробки. На температурній залежності питомого опору виділено та обґрунтовано три характерні ділянки, на яких домінують різні механізми розсіювання електронів.Ключові слова Структурно-фазовий стан, Дифузія, Питомий опір, Поетапне відпалювання, Електрон-фононна взаємодія. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method [03001-1-03001-6]2) Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію [03002-1-03002-5]
3) Структура, міцнісні та електропровідні властивості вакуумних конденсатів Cu-Ta [03003-1-03003-4]
4) Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS [03004-1-03004-6]
5) Single Crystal, High Band Gap CdS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering in Argon Atmosphere for Solar Cell Applications [03005-1-03005-6]
6) Optical Analytical Studies of Electrostatic-Sprayed Eu-doped Cadmium Selenide Nanofilms at Different Temperatures [03006-1-03006-5]
7) Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів-кових фотоелектричних перетворювачів [03007-1-03007-7]
8) Моделювання процесів формування методом молекулярної динаміки та люмінесцентні властивості наноструктур Zn-ZnO типу ядро-оболонка [03008-1-03008-5]
9) Структурна інженерія переважної орієнтації росту кристалітів в бішарових багатоперіодних вакуумно-дугових нітридних покриттях [03009-1-03009-5]
10) Synthesis of Copper Nanoparticles by Cathode Sputtering in Radio-frequency Plasma [03010-1-03010-4]
11) Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen [03011-1-03011-6]
12) Modelling the Initial Stages of Condensation of As-S Atomic Clusters [03012-1-03012-9]
13) Месбауерівські дослідження Ni-заміщених феритів кобальту [03013-1-03013-5]
14) Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [03014-1-03014-4]
15) Фазовий і хімічний склад дифузійних титаноалюмохромових покриттів на основі сплаву ХН55ВМТКЮ [03015-1-03015-4]
16) Ефекти гігантського і анізотропного магнітоопору: демонстрація і вивчення в курсі фізики закладів вищої освіти [03016-1-03016-8]
17) Синтез та ріст наноструктур Au на інтерфейсі MoS2 [03017-1-03017-6]
18) Computer Simulation of Electrical Characteristics of a Graphene Cluster with Stone-Wales Defects [03018-1-03018-7]
19) Дальнодіюча взаємодія між pb-центрами та молекулами NO2, адсорбованими на поверхні кремнію [03019-1-03019-7]
20) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs–Bogoliubov Method [03020-1-03020-4]
21) Коефіцієнт прозорості та квазістаціонарні стани електрона у симетричній двобар’єрній наносистемі з просторово-залежними потенціалом і ефективною масою [03021-1-03021-5]
22) Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [03022-1-03022-6]
23) Роль зарядового стану молекули і зовнішнього електричного поляу функціонуванні молекулярних перемикачів на основі спіропірана [03023-1-03023-5]
24) Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії [03025-1-03025-5]
25) Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [03026-1-03026-6]
26) Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів [03027-1-03027-8]
27) Дослідження впливу складу залишкових газів на твердість, адгезійні властивості і елементний склад покриттів SiC-AlN, нанесених методом магнетронного розпилення [03028-1-03028-5]
28) Ультрадисперсний β-FeOOH: вплив умов синтезу на морфологічні, магнітні та електро-хімічні властивості [03029-1-03029-6]
29) Багатоступеневе досушування гранул пористої N4HNO3 як фактор підвищення якості нанопористої структури [03030-1-03030-5]
30) Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids [03031-1-03031-5]
31) Effect of Heat Treatments on the Mechanical Properties of a Form Tool [03032-1-03032-3]
32) Розрахунок квазічастинкових енергій електронів і спектра екситонів в області краю фу-ндаментального поглинання в кристалі перовскиту KMgF3 [03033-1-03033-3]
