Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS
| Автори | М.М. Іващенко1 , А.С. Опанасюк2, І.П. Бурик1 , Д.В. Кузьмін1 |
| Приналежність |
1Конотопський інститут, Сумський державний університет, пр. Миру, 24, 41615 Конотоп, Україна 2Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна |
| Е-mail | m_ivashchenko@ukr.net |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
| Дати | Одержано 09.04.2018; опубліковано online 25.06.2018 |
| Посилання | М.М. Іващенко, А.С. Опанасюк, І.П. Бурик, Д.В. Кузьмін, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 3, 03004 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03004 |
| PACS Number(s) | 85.60.Bt, 78.20.Bh, 73.61.Ga |
| Ключові слова | Сонячний елемент (32) , Моделювання (75) , Фактор заповнення (3) , К.К.Д, SCAPS (27) . |
| Анотація |
В даній роботі проведене числове моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольт-амперні характеристики, спектральні розподіли квантової ефективності) сонячних елементів (СЕ), виконаних на базі шару SnS (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) з використанням програмного пакету SCAPS-3102. Обравши такі базові характеристики для моделювання, як ширина забороненої зони Eg,, товщини шарів d, спорідненості електронів (, тощо, були отримані наступні експлуатаційні характеристики СЕ: напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF та коефіцієнт корисної дії фотоперетворення (. Отримані значення дозволили визначити оптимальні конструктивні параметри змодельованих сонячних елементів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method [03001-1-03001-6]2) Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію [03002-1-03002-5]
3) Структура, міцнісні та електропровідні властивості вакуумних конденсатів Cu-Ta [03003-1-03003-4]
4) Single Crystal, High Band Gap CdS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering in Argon Atmosphere for Solar Cell Applications [03005-1-03005-6]
5) Optical Analytical Studies of Electrostatic-Sprayed Eu-doped Cadmium Selenide Nanofilms at Different Temperatures [03006-1-03006-5]
6) Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів-кових фотоелектричних перетворювачів [03007-1-03007-7]
7) Моделювання процесів формування методом молекулярної динаміки та люмінесцентні властивості наноструктур Zn-ZnO типу ядро-оболонка [03008-1-03008-5]
8) Структурна інженерія переважної орієнтації росту кристалітів в бішарових багатоперіодних вакуумно-дугових нітридних покриттях [03009-1-03009-5]
9) Synthesis of Copper Nanoparticles by Cathode Sputtering in Radio-frequency Plasma [03010-1-03010-4]
10) Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen [03011-1-03011-6]
11) Modelling the Initial Stages of Condensation of As-S Atomic Clusters [03012-1-03012-9]
12) Месбауерівські дослідження Ni-заміщених феритів кобальту [03013-1-03013-5]
13) Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [03014-1-03014-4]
14) Фазовий і хімічний склад дифузійних титаноалюмохромових покриттів на основі сплаву ХН55ВМТКЮ [03015-1-03015-4]
15) Ефекти гігантського і анізотропного магнітоопору: демонстрація і вивчення в курсі фізики закладів вищої освіти [03016-1-03016-8]
16) Синтез та ріст наноструктур Au на інтерфейсі MoS2 [03017-1-03017-6]
17) Computer Simulation of Electrical Characteristics of a Graphene Cluster with Stone-Wales Defects [03018-1-03018-7]
18) Дальнодіюча взаємодія між pb-центрами та молекулами NO2, адсорбованими на поверхні кремнію [03019-1-03019-7]
19) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs–Bogoliubov Method [03020-1-03020-4]
20) Коефіцієнт прозорості та квазістаціонарні стани електрона у симетричній двобар’єрній наносистемі з просторово-залежними потенціалом і ефективною масою [03021-1-03021-5]
21) Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [03022-1-03022-6]
22) Роль зарядового стану молекули і зовнішнього електричного поляу функціонуванні молекулярних перемикачів на основі спіропірана [03023-1-03023-5]
23) Структурно-фазовий стан та електропровідність плівкових структур на основі фази Fe-Со та Cu [03024-1-03024-6]
24) Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії [03025-1-03025-5]
25) Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [03026-1-03026-6]
26) Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів [03027-1-03027-8]
27) Дослідження впливу складу залишкових газів на твердість, адгезійні властивості і елементний склад покриттів SiC-AlN, нанесених методом магнетронного розпилення [03028-1-03028-5]
28) Ультрадисперсний β-FeOOH: вплив умов синтезу на морфологічні, магнітні та електро-хімічні властивості [03029-1-03029-6]
29) Багатоступеневе досушування гранул пористої N4HNO3 як фактор підвищення якості нанопористої структури [03030-1-03030-5]
30) Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids [03031-1-03031-5]
31) Effect of Heat Treatments on the Mechanical Properties of a Form Tool [03032-1-03032-3]
32) Розрахунок квазічастинкових енергій електронів і спектра екситонів в області краю фу-ндаментального поглинання в кристалі перовскиту KMgF3 [03033-1-03033-3]
