Коефіцієнт прозорості та квазістаціонарні стани електрона у симетричній двобар’єрній наносистемі з просторово-залежними потенціалом і ефективною масою
| Автори | Ю.О. Сеті , М.В. Ткач |
| Афіліація |
Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна |
| Е-mail | j.seti@chnu.edu.ua |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
| Дати | Одержано 22.04.2018, у відредагованій формі – 04.06.2018, опубліковано online 25.06.2018 |
| Цитування | Ю.О. Сеті, М.В. Ткач, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 3, 03021 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03021 |
| PACS Number(s) | 78.67.De, 63.20.Dj, 63.22. + m |
| Ключові слова | Координато-залежна ефективна маса, Координато-залежний потенцiальний профiль, Резонансно-тунельна наноструктура, Квазiстацiонарний стан, Коефіцієнт прозорості (2) . |
| Анотація |
У моделі плавних просторово-залежних ефективної маси та потенціальної енергії електрона з їх лінійною залежністю від координати у приграничних шарах між ямами та бар’єрами відкритої симетричної двобар’єрної резонансно-тунельної наноструктури знайдені розв’язки рівняння Шредінгера. На їх основі здійснено розрахунок коефіцієнта прозорості наносистеми з In0.53Ga0.47As ямами та In0.52Al0.48As бар’єрами та резонансних енергій і резонансних ширин підбар’єрних квазістаціонарних станів електрона. Досліджено вплив розмірів приграничних шарів на спектральні параметри квазістаціонарних станів електрона та виконано порівняльний аналіз отриманих залежностей з результатами найбільш поширеної моделі неперервних сходинкоподібних ефективної маси та потенціальної енергії електрона, які стрибкоподібно змінюють на межах між шарами наносистеми. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method [03001-1-03001-6]2) Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію [03002-1-03002-5]
3) Структура, міцнісні та електропровідні властивості вакуумних конденсатів Cu-Ta [03003-1-03003-4]
4) Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS [03004-1-03004-6]
5) Single Crystal, High Band Gap CdS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering in Argon Atmosphere for Solar Cell Applications [03005-1-03005-6]
6) Optical Analytical Studies of Electrostatic-Sprayed Eu-doped Cadmium Selenide Nanofilms at Different Temperatures [03006-1-03006-5]
7) Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів-кових фотоелектричних перетворювачів [03007-1-03007-7]
8) Моделювання процесів формування методом молекулярної динаміки та люмінесцентні властивості наноструктур Zn-ZnO типу ядро-оболонка [03008-1-03008-5]
9) Структурна інженерія переважної орієнтації росту кристалітів в бішарових багатоперіодних вакуумно-дугових нітридних покриттях [03009-1-03009-5]
10) Synthesis of Copper Nanoparticles by Cathode Sputtering in Radio-frequency Plasma [03010-1-03010-4]
11) Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen [03011-1-03011-6]
12) Modelling the Initial Stages of Condensation of As-S Atomic Clusters [03012-1-03012-9]
13) Месбауерівські дослідження Ni-заміщених феритів кобальту [03013-1-03013-5]
14) Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [03014-1-03014-4]
15) Фазовий і хімічний склад дифузійних титаноалюмохромових покриттів на основі сплаву ХН55ВМТКЮ [03015-1-03015-4]
16) Ефекти гігантського і анізотропного магнітоопору: демонстрація і вивчення в курсі фізики закладів вищої освіти [03016-1-03016-8]
17) Синтез та ріст наноструктур Au на інтерфейсі MoS2 [03017-1-03017-6]
18) Computer Simulation of Electrical Characteristics of a Graphene Cluster with Stone-Wales Defects [03018-1-03018-7]
19) Дальнодіюча взаємодія між pb-центрами та молекулами NO2, адсорбованими на поверхні кремнію [03019-1-03019-7]
20) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs–Bogoliubov Method [03020-1-03020-4]
21) Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [03022-1-03022-6]
22) Роль зарядового стану молекули і зовнішнього електричного поляу функціонуванні молекулярних перемикачів на основі спіропірана [03023-1-03023-5]
23) Структурно-фазовий стан та електропровідність плівкових структур на основі фази Fe-Со та Cu [03024-1-03024-6]
24) Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії [03025-1-03025-5]
25) Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [03026-1-03026-6]
26) Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів [03027-1-03027-8]
27) Дослідження впливу складу залишкових газів на твердість, адгезійні властивості і елементний склад покриттів SiC-AlN, нанесених методом магнетронного розпилення [03028-1-03028-5]
28) Ультрадисперсний β-FeOOH: вплив умов синтезу на морфологічні, магнітні та електро-хімічні властивості [03029-1-03029-6]
29) Багатоступеневе досушування гранул пористої N4HNO3 як фактор підвищення якості нанопористої структури [03030-1-03030-5]
30) Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids [03031-1-03031-5]
31) Effect of Heat Treatments on the Mechanical Properties of a Form Tool [03032-1-03032-3]
32) Розрахунок квазічастинкових енергій електронів і спектра екситонів в області краю фу-ндаментального поглинання в кристалі перовскиту KMgF3 [03033-1-03033-3]
