Computer Simulation of Electrical Characteristics of a Graphene Cluster with Stone-Wales Defects
| Автори | D.M. Sergeyev1, 2 |
| Афіліація |
1Zhubanov Aktobe Regional University, 34, Moldagulova Ave., 030000 Aktobe, Kazakhstan 2Begeldinov Military Institute of Air Defence Forces, 39, Moldagulova Ave., 030012 Aktobe, Kazakhstan |
| Е-mail | serdau@rambler.ru |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
| Дати | Одержано 22.02.2018; у відредагованій формі – 05.06.2018; опубліковано online 25.06.2018 |
| Цитування | D.M. Sergeyev, J. Nano- Electron. Phys. 10 No 3, 03018 (2017) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03018 |
| PACS Number(s) | 73.63. – b, 61.72.J – |
| Ключові слова | Graphene (23) , Stone-Wales defect (3) , Density of states (6) , Current-voltage characteristic (12) , Differential conductivity (3) , Transmission spectra (4) . |
| Анотація |
In the framework of the density functional theory, using the method of nonequilibrium Green's functions and in the local density approximation, the electrical characteristics of various configurations of graphene with a Stone-Wales defect are investigated. The calculation is implemented in the Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab program. The current-voltage, dI/dV-characteristics, the transmission spectrum and the density of states of the nanostructures under consideration are calculated. At an energy of ~ 0.5 eV, a band consisting of two peaks, characteristic for Stone-Wales defects, appears on the density of states. This "defect band" can be useful for recognizing such defects, as well as for determining their concentration in a graphene film. It is shown that on the current-voltage characteristics of defective graphene structures, a region with a negative differential resistance appears, possibly due to resonant tunneling of quasiparticles. The same changes are also observed on the dI/dV-characteristic. The obtained results can be useful for calculations of new promising electronic devices of nanoelectronics based on graphene. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method [03001-1-03001-6]2) Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію [03002-1-03002-5]
3) Структура, міцнісні та електропровідні властивості вакуумних конденсатів Cu-Ta [03003-1-03003-4]
4) Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS [03004-1-03004-6]
5) Single Crystal, High Band Gap CdS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering in Argon Atmosphere for Solar Cell Applications [03005-1-03005-6]
6) Optical Analytical Studies of Electrostatic-Sprayed Eu-doped Cadmium Selenide Nanofilms at Different Temperatures [03006-1-03006-5]
7) Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів-кових фотоелектричних перетворювачів [03007-1-03007-7]
8) Моделювання процесів формування методом молекулярної динаміки та люмінесцентні властивості наноструктур Zn-ZnO типу ядро-оболонка [03008-1-03008-5]
9) Структурна інженерія переважної орієнтації росту кристалітів в бішарових багатоперіодних вакуумно-дугових нітридних покриттях [03009-1-03009-5]
10) Synthesis of Copper Nanoparticles by Cathode Sputtering in Radio-frequency Plasma [03010-1-03010-4]
11) Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen [03011-1-03011-6]
12) Modelling the Initial Stages of Condensation of As-S Atomic Clusters [03012-1-03012-9]
13) Месбауерівські дослідження Ni-заміщених феритів кобальту [03013-1-03013-5]
14) Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [03014-1-03014-4]
15) Фазовий і хімічний склад дифузійних титаноалюмохромових покриттів на основі сплаву ХН55ВМТКЮ [03015-1-03015-4]
16) Ефекти гігантського і анізотропного магнітоопору: демонстрація і вивчення в курсі фізики закладів вищої освіти [03016-1-03016-8]
17) Синтез та ріст наноструктур Au на інтерфейсі MoS2 [03017-1-03017-6]
18) Дальнодіюча взаємодія між pb-центрами та молекулами NO2, адсорбованими на поверхні кремнію [03019-1-03019-7]
19) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs–Bogoliubov Method [03020-1-03020-4]
20) Коефіцієнт прозорості та квазістаціонарні стани електрона у симетричній двобар’єрній наносистемі з просторово-залежними потенціалом і ефективною масою [03021-1-03021-5]
21) Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [03022-1-03022-6]
22) Роль зарядового стану молекули і зовнішнього електричного поляу функціонуванні молекулярних перемикачів на основі спіропірана [03023-1-03023-5]
23) Структурно-фазовий стан та електропровідність плівкових структур на основі фази Fe-Со та Cu [03024-1-03024-6]
24) Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії [03025-1-03025-5]
25) Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [03026-1-03026-6]
26) Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів [03027-1-03027-8]
27) Дослідження впливу складу залишкових газів на твердість, адгезійні властивості і елементний склад покриттів SiC-AlN, нанесених методом магнетронного розпилення [03028-1-03028-5]
28) Ультрадисперсний β-FeOOH: вплив умов синтезу на морфологічні, магнітні та електро-хімічні властивості [03029-1-03029-6]
29) Багатоступеневе досушування гранул пористої N4HNO3 як фактор підвищення якості нанопористої структури [03030-1-03030-5]
30) Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids [03031-1-03031-5]
31) Effect of Heat Treatments on the Mechanical Properties of a Form Tool [03032-1-03032-3]
32) Розрахунок квазічастинкових енергій електронів і спектра екситонів в області краю фу-ндаментального поглинання в кристалі перовскиту KMgF3 [03033-1-03033-3]
