Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів-кових фотоелектричних перетворювачів
| Автори | Д.А. Кудій, М.Г. Хрипунов , Р.В. Зайцев , А.Л. Хрипунова |
| Афіліація |
Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова 2, 61002 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
| Дати | Одержано 13.01.2018; опубліковано online 25.06.2018 |
| Цитування | Д.А. Кудій, М.Г. Хрипунов, Р.В. Зайцев, А.Л. Хрипунова, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 3, 03007 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03007 |
| PACS Number(s) | 68.55.Jk, 68.47.Fg |
| Ключові слова | Фотоелектричний перетворювач (4) , Плівки телуриду кадмію, Хлорид кадмію, Рентгенівська дифрактометрія (7) , Світлова вольт-амперна характеристика, Вихідні параметри (4) , Світлові діодні характеристики (2) . |
| Анотація |
Досліджено процес осадження плівок хлориду кадмію при проведенні «хлоридної» обробки базових шарів телуриду кадмію для тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Встановлено, що для забезпечення відтворюваності товщини і фазового складу плівок хлориду кадмію необхідно враховувати високу гігроскопічність цього матеріалу. Показано, що оптимальна швидкість росту плівок хлориду кадмію становить 0,1 мкм в хвилину. При великих швидкостях зростання на поверхні базового шару CdTe осідають макрочастки хлориду кадмію, що викликає шунтування ФЕП в процесі «хлоридної» обробки. Визначено, що після «хлоридної» обробки шарів CdTe спостерігається формування крупнозернистої структури, яка переважно орієнтована в термодинамічно рівноважному напрямку [422]. При цьому, середній розмір зерна зростає до 5 мкм. Показано, що при проведенні «хлоридної» обробки оптимальна чистота шарів хлориду кадмію становить 98 %, що обумовлено легуванням CdTe атомами міді. Недолік міді при використанні більш чистого хлориду кадмію знижує ефективність ФЕП за рахунок зростання послідовного електроопору і зниження щільності фотоструму. Експериментально визначено, що оптимальна товщина хлориду кадмію при проведенні «хлоридної» обробки і досягнута при цьому ефективність ФЕП залежить від застосовуваної підкладки. Так для ФЕП ITO/CdS/CdTe/Cu/Au оптимальна товщина хлориду кадмію становить 0,40 мкм, ефективність - 9,6 %, а для ФЕП NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au - 0,10 мкм і 6,4 %, відповідно. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method [03001-1-03001-6]2) Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію [03002-1-03002-5]
3) Структура, міцнісні та електропровідні властивості вакуумних конденсатів Cu-Ta [03003-1-03003-4]
4) Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS [03004-1-03004-6]
5) Single Crystal, High Band Gap CdS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering in Argon Atmosphere for Solar Cell Applications [03005-1-03005-6]
6) Optical Analytical Studies of Electrostatic-Sprayed Eu-doped Cadmium Selenide Nanofilms at Different Temperatures [03006-1-03006-5]
7) Моделювання процесів формування методом молекулярної динаміки та люмінесцентні властивості наноструктур Zn-ZnO типу ядро-оболонка [03008-1-03008-5]
8) Структурна інженерія переважної орієнтації росту кристалітів в бішарових багатоперіодних вакуумно-дугових нітридних покриттях [03009-1-03009-5]
9) Synthesis of Copper Nanoparticles by Cathode Sputtering in Radio-frequency Plasma [03010-1-03010-4]
10) Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen [03011-1-03011-6]
11) Modelling the Initial Stages of Condensation of As-S Atomic Clusters [03012-1-03012-9]
12) Месбауерівські дослідження Ni-заміщених феритів кобальту [03013-1-03013-5]
13) Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [03014-1-03014-4]
14) Фазовий і хімічний склад дифузійних титаноалюмохромових покриттів на основі сплаву ХН55ВМТКЮ [03015-1-03015-4]
15) Ефекти гігантського і анізотропного магнітоопору: демонстрація і вивчення в курсі фізики закладів вищої освіти [03016-1-03016-8]
16) Синтез та ріст наноструктур Au на інтерфейсі MoS2 [03017-1-03017-6]
17) Computer Simulation of Electrical Characteristics of a Graphene Cluster with Stone-Wales Defects [03018-1-03018-7]
18) Дальнодіюча взаємодія між pb-центрами та молекулами NO2, адсорбованими на поверхні кремнію [03019-1-03019-7]
19) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs–Bogoliubov Method [03020-1-03020-4]
20) Коефіцієнт прозорості та квазістаціонарні стани електрона у симетричній двобар’єрній наносистемі з просторово-залежними потенціалом і ефективною масою [03021-1-03021-5]
21) Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [03022-1-03022-6]
22) Роль зарядового стану молекули і зовнішнього електричного поляу функціонуванні молекулярних перемикачів на основі спіропірана [03023-1-03023-5]
23) Структурно-фазовий стан та електропровідність плівкових структур на основі фази Fe-Со та Cu [03024-1-03024-6]
24) Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії [03025-1-03025-5]
25) Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [03026-1-03026-6]
26) Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів [03027-1-03027-8]
27) Дослідження впливу складу залишкових газів на твердість, адгезійні властивості і елементний склад покриттів SiC-AlN, нанесених методом магнетронного розпилення [03028-1-03028-5]
28) Ультрадисперсний β-FeOOH: вплив умов синтезу на морфологічні, магнітні та електро-хімічні властивості [03029-1-03029-6]
29) Багатоступеневе досушування гранул пористої N4HNO3 як фактор підвищення якості нанопористої структури [03030-1-03030-5]
30) Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids [03031-1-03031-5]
31) Effect of Heat Treatments on the Mechanical Properties of a Form Tool [03032-1-03032-3]
32) Розрахунок квазічастинкових енергій електронів і спектра екситонів в області краю фу-ндаментального поглинання в кристалі перовскиту KMgF3 [03033-1-03033-3]
