Modelling the Initial Stages of Condensation of As-S Atomic Clusters
| Автори | А.V. Dalekorej1, V.S. Kovtunenko2, М.V. Stoika3 |
| Приналежність |
1Department of Computer Systems and Networks, Faculty of Engineering, Uzhhorod National University, 3, Narodna Sq., 88000 Uzhhorod, Ukraine 2Department of Higher Mathematics, Cherkasy State Technological University, 460, Shevchenko Blv., 18006 Cherkasy, Ukraine 3Department of Mathematics and Informatics, Ferenc Rakoczi II. Transcarpathian Hungarian Institute, 6, Kossuth Sq., 90200 Beregszasz, Ukraine |
| Е-mail | stoyka_m@yahoo.com |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
| Дати | Одержано 27.01.2018; у відредагованій формі 06.06.2018; опубліковано online 25.06.2018 |
| Посилання | А.V. Dalekorej, V.S. Kovtunenko, М.V. Stoika, J. Nano- Electron. Phys. 10 No 3, 03012 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03012 |
| PACS Number(s) | 78.90. + t |
| Ключові слова | Adsorption (9) , Chalcogenide clusters, First-principle modelling. |
| Анотація |
With the use of first-principle quantum-mechanical method DFT the initial phases of condensation processes of 4- and 5-atomic AsnSm clusters on the carbon substrate have been studied. It has been determined that due to the break of one or two chemical bonds most clusters during adsorption on the surface of the carbon substrate are transformed from their initial structural shapes into the chain whose ends are covalently bonded with the substrate. The calculated adsorption energies of such clusters on the carbon substrate are equal to 1.7-1.9 eV/atom. Pentagon-shaped S5, As2S3 and As4S clusters are also highly likely to be adsorbed on the carbon substrate without the change of their spatial shape under the influence of van der Waals forces. For As4 clusters-molecules such adsorption mechanism is the main one. The energy of such adsorption of clusters is 0.4-0.5 eV/atom. It has been determined that the energy and mechanism of adsorption of AsnSm clusters are significantly affected by the dynamics of changes in internal tensions of the atomic system before and after adsorption. Such effect may be more significant in case of adsorption not on the model, but on real, more “rigid” carbon substrates. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method [03001-1-03001-6]2) Вплив параметрів ВЧ-магнетронного розпилення на структуру плівок дибориду гафнію [03002-1-03002-5]
3) Структура, міцнісні та електропровідні властивості вакуумних конденсатів Cu-Ta [03003-1-03003-4]
4) Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS [03004-1-03004-6]
5) Single Crystal, High Band Gap CdS Thin Films Grown by RF Magnetron Sputtering in Argon Atmosphere for Solar Cell Applications [03005-1-03005-6]
6) Optical Analytical Studies of Electrostatic-Sprayed Eu-doped Cadmium Selenide Nanofilms at Different Temperatures [03006-1-03006-5]
7) Фізико-технологічні основи «хлоридної» обробки шарів телуриду кадмію для тонкоплів-кових фотоелектричних перетворювачів [03007-1-03007-7]
8) Моделювання процесів формування методом молекулярної динаміки та люмінесцентні властивості наноструктур Zn-ZnO типу ядро-оболонка [03008-1-03008-5]
9) Структурна інженерія переважної орієнтації росту кристалітів в бішарових багатоперіодних вакуумно-дугових нітридних покриттях [03009-1-03009-5]
10) Synthesis of Copper Nanoparticles by Cathode Sputtering in Radio-frequency Plasma [03010-1-03010-4]
11) Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen [03011-1-03011-6]
12) Месбауерівські дослідження Ni-заміщених феритів кобальту [03013-1-03013-5]
13) Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [03014-1-03014-4]
14) Фазовий і хімічний склад дифузійних титаноалюмохромових покриттів на основі сплаву ХН55ВМТКЮ [03015-1-03015-4]
15) Ефекти гігантського і анізотропного магнітоопору: демонстрація і вивчення в курсі фізики закладів вищої освіти [03016-1-03016-8]
16) Синтез та ріст наноструктур Au на інтерфейсі MoS2 [03017-1-03017-6]
17) Computer Simulation of Electrical Characteristics of a Graphene Cluster with Stone-Wales Defects [03018-1-03018-7]
18) Дальнодіюча взаємодія між pb-центрами та молекулами NO2, адсорбованими на поверхні кремнію [03019-1-03019-7]
19) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs–Bogoliubov Method [03020-1-03020-4]
20) Коефіцієнт прозорості та квазістаціонарні стани електрона у симетричній двобар’єрній наносистемі з просторово-залежними потенціалом і ефективною масою [03021-1-03021-5]
21) Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів [03022-1-03022-6]
22) Роль зарядового стану молекули і зовнішнього електричного поляу функціонуванні молекулярних перемикачів на основі спіропірана [03023-1-03023-5]
23) Структурно-фазовий стан та електропровідність плівкових структур на основі фази Fe-Со та Cu [03024-1-03024-6]
24) Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОСепітаксії [03025-1-03025-5]
25) Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [03026-1-03026-6]
26) Виготовлені імпульсним електроосадженням і вкриті наночастинками Ag наноструктуровані масиви ZnO для ультрафіолетових фотосенсорів [03027-1-03027-8]
27) Дослідження впливу складу залишкових газів на твердість, адгезійні властивості і елементний склад покриттів SiC-AlN, нанесених методом магнетронного розпилення [03028-1-03028-5]
28) Ультрадисперсний β-FeOOH: вплив умов синтезу на морфологічні, магнітні та електро-хімічні властивості [03029-1-03029-6]
29) Багатоступеневе досушування гранул пористої N4HNO3 як фактор підвищення якості нанопористої структури [03030-1-03030-5]
30) Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids [03031-1-03031-5]
31) Effect of Heat Treatments on the Mechanical Properties of a Form Tool [03032-1-03032-3]
32) Розрахунок квазічастинкових енергій електронів і спектра екситонів в області краю фу-ндаментального поглинання в кристалі перовскиту KMgF3 [03033-1-03033-3]
